[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)이 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)를 올 2분기, 늦어도 하반기에 생산량을 늘려가겠다고 밝혔다. HBM 핵심 고객인 엔비디아 공급이 머지 않았다는 분석이다. 차세대 HBM4 제품은 올 하반기 양산을 목표로 연구개발에 집중하고 있다.
전영현 부회장은 19일 열린 제56기 정기 주주총회에서 이어진 주주와의 질의응답에서 이 같이 밝혔다.
전 부회장은 "삼성전자 주가는 반도체 부문의 성과에 큰 영향을 받고 있다"며 "최근 D램(DRAM)과 낸드(NAND) 시장이 다소 약세를 보이고 있지만, AI 투자 확대와 모바일 수요 회복이 진행되면서 하반기에는 수급 균형이 잡히고 실적이 개선될 것으로 전망된다"고 말했다.
그는 "특히 AI 반도체 시장에서 초기 대응이 늦어지면서 주력 메모리 제품의 수익성 개선이 더딘 점이 주가 부진의 주요 원인"이라며 "미·중 무역 갈등 등 글로벌 반도체 시장의 불확실성이 지속되고 있지만, 내부적으로 제품 완성도를 높이고 조직 개편을 통해 대응력을 강화하고 있다"고 강조했다.
전 부회장은 "올해 빠르면 2분기, 늦어도 하반기부터 HBM3E 12단 제품으로 빠르게 AI D램 시장을 전환시켜 고객 수요에 맞춰 램프업(생산량 확대) 시킬 예정"이라며 "HBM 공급량을 작년 대비 크게 늘려 시장에서의 입지를 강화하겠다"고 밝혔다.
또한 "차세대 HBM4와 커스텀 HBM 제품도 하반기 양산을 목표로 개발을 진행하고 있으며, HBM3에서의 과오를 되풀이 하지 않도록 철저히 준비하고 있다"며 "기술 리더십을 확보해 주주 신뢰를 회복할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 덧붙였다.
마지막으로 전 부회장은 "주가 부진으로 심려를 끼쳐드린 점을 송구스럽게 생각한다"며 "반도체 시장 반등을 이끌어 주주가치를 높이는 데 총력을 기울이겠다"고 말했다.
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