[서울=뉴스핌] 박서영 기자 = 삼성전자의 20나노급 D램 메모리 반도체 공정 단계별 핵심기술을 중국으로 빼돌린 전직 임·직원들이 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 27일 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반, 부정경쟁방지및영업비밀보호에관한법률 위반 혐의로 중국 반도체회사 대표 최모(66) 씨와 개발실장 오모(60) 씨를 구속기소했다.

최 대표 등은 삼성전자가 개발비 4조원을 투입한 국가핵심기술을 무단으로 사용한 혐의를 받는다.

검찰에 따르면 최 대표와 오 실장은 각각 삼성전자 임원과 수석연구원으로 재직하는 등 핵심 연구인력으로 근무했다. 특히 최 대표는 삼성전자와 다른 회사에서 약 30년을 근무하는 등 국내 반도체 제조 분야의 최고 전문가로 꼽힌다.

이들은 삼성전자의 기술을 사용해 D램 반도체 공정기술을 1년 6개월 만에 개발했는데, 이 기술 개발은 통상 글로벌 반도체회사들도 4~5년이 소요되는 것으로 알려졌다. 이를 통해 최 대표 등은 중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다.

검찰은 이들이 삼성전자의 기술을 빼돌려 개발 기간을 크게 단축 시킨 것으로 보고 있다.

아울러 검찰은 경찰로부터 사건을 송치받은 후 추가수사를 통해 최 대표가 중국 반도체회사 지분 860억원 상당을 받고 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 사실을 밝혀냈으며, 이들이 설립한 중국 반도체회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 확인해 해당 반도체회사도 추가로 기소했다.

검찰 관계자는 "최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조원에 달할 것으로 예상되는 등 사안의 중대성을 감안해 경찰 수사단계에서부터 긴밀히 협력해 피고인들을 구속했다"며 "검찰은 앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출범죄에 적극 엄정 대응할 것"이라고 강조했다.

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