[뉴스핌=우동환 기자] 일본 엘피다 메모리가 글로벌 반도체 시장 리더인 삼성전자를 추격하기 위해 오는 5월부터 30나노급 반도체칩을 양산할 예정이라고 27일 니혼게이자이신문이 회사 소식통의 말을 인용해 보도했다.
이 보도에 따르면 엘피다는 현재 300mm 웨이퍼 수천 장 규모인 30나노 하단 폭의 공정이 적용된 제품 생산을 연말까지 웨이퍼 12만 장으로 늘리는 등 월간 DRAM 생산량을 끌어 올릴 계획인 것으로 나타났다.
30나노급은 이전 40나노 공정에 비하면 웨이퍼 한개 당 칩 생산량이 약 45% 가량 증가해 생산 비용을 낮추는 효과를 거둘 수 있다.
엘피다는 올해 1월 부터 히로시마현에 위치한 공장에서 30나노급 반도체를 생산하기 시작했으며 증산에 필요한 원자재외 실리콘 웨이퍼를 충분히 확보한 것으로 알려졌다.
또한 엘피다는 오는 3/4분기 히로시마 공장의 생산 공정의 30%를 새로운 칩 생산에 집중할 방침인 것으로 나타났다.












