AI 핵심 요약
beta- SK하이닉스가 18일 HBM4E 12단 샘플을 고객사에 공급했다
- HBM4E는 속도·전력 효율·지연시간 개선해 AI 서버 성능 높였다
- SK하이닉스는 MR-MUF 공정으로 48GB 구현하고 검증 뒤 양산할 계획이다
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48GB 고용량·열 저항 17% 낮춰…주요 고객사 검증 거쳐 양산 추진
[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 고대역폭메모리(HBM)4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 차세대 HBM 시장 선점 경쟁에서 한발 앞서 나갔다. 성능과 전력 효율을 동시에 개선한 신제품을 앞세워 AI 서버와 데이터센터용 메모리 시장에서 기술 리더십을 더욱 강화한다는 전략이다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램인 HBM4E 12단 샘플을 고객사들에 제공하고 본격적인 검증 절차에 돌입했다고 밝혔다.
HBM4E는 기존 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 개선한 제품이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율은 20% 이상 높였다. 데이터 전송 지연도 줄여 대규모 AI 학습과 추론 환경에서 처리 성능을 향상시켰다.
신제품에는 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정이 적용됐다. 이를 통해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했으며 구조 안정성을 강화했다. 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계됐다.
SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4 양산 경험을 바탕으로 HBM4E 역시 고객 맞춤형 제품을 적기에 공급한다는 계획이다. 회사는 주요 고객사와 협력을 강화해 검증을 마친 뒤 양산에 나설 예정이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에도 적용해 AI 혁신을 지속적으로 이끌 수 있는 기반을 마련했다"며 "풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 더욱 강화하겠다"고 말했다.
syu@newspim.com
