[뉴스핌=유효정기자] 하이닉스가 ▲20나노급 D램 미세 공정 기술력 확보 ▲D램 제품 포트폴리오 차별화 ▲차입금 축소 통한 재무 구조 개선 ▲모바일 기기용 낸드 플래시 경쟁력 강화 등을 통한 경쟁력 확보를 기치로 내걸었다. 

특히 올해 20나노급 D램 개발에 속도를 내고 삼성전자와 격차를 줄이는 등 '미세 공정' 기술 확보를 통한 수익성 개선에 꾀할 계힉이다.

27일 권오철 하이닉스 사장은 2010년 4분기 경영설명회에 참석해 "메모리 수요가 신성장 시대로 접어들고 있다"고 새로운 세대가 올 것으로 예견했다.

이는 새로운 모바일 스마트 기기 등의 등장 때문이다.

권 사장은 "2011년은 새로운 IT기기의등장과 디지털 기기의 스마트,모바일화를 통해 D램의 경우 PC에서 모바일 영역으로, 낸드 플래시의 경우 모바일에서 PC 수요로 확대되면서 메모리 반도체의 신성장기로 돌입하는 한해가 될 것"이라고 강조했다.

전 세계적 D램 생산량 증가와 가격 하락폭은 크지 않은 가운데 하반기 시황 개선에 대한 확신을 드러냈다.

권 사장은 "올해 대만의 후발 업체들을 비롯 생산량 증가가 제한될 것"이라며 "하반기에 상반기보다 좋을 것"이라고 말했다. 1분기에 바닥을 형성한 후 세계 경기의 회복세를 타고 메모리 반도체 시황도 개선될 것이란 전망이다.

이에 '캐파 확대' 경쟁보다 '미세 공정' 기술 경쟁은 보다 치열할 것으로 봤다.

권 사장은 "업체들이 공정 미세화에서 기회를 찾고 있다"며 "하반기에 20나노급 제품 개발을 하는 등 1등 업체와 격차를 줄이고 미세 공정 기술력 확보를 가속할 것"이라고 강조했다.  그는 "30나노급에서는 시차가 벌어졌지만 20나노급 제품에서는 간극을 줄여놓을 것"이라고 강한 의지를 내비쳤다.

올 초 본격 양산에 돌입하는 30나노급 D램 생산을 확대해  연말까지 40% 수준으로 끌어올릴 계획이다.

한편 낸드 플래시의 전략은 모바일 기기를 타깃으로 집중한다.

권 사장은 "자사의 낸드 플래시 타깃은 100% 모바일 탑재 제품"이라며 "USB 혹은 카드 시장은 우리의 타깃이 아니다"고 강조했다.

하이닉스의 올해 투자 규모는 3.4조원이며 약 25%가 낸드 플래시에 투자될 계획이다.


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[뉴스핌 Newspim] 유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )