[뉴스핌=유효정기자] 하이닉스가 올해 D램 미세공정 기술력 확보와 재무구조 개선 등을 통한 수익성 강화에 박차를 가한다.

27일 권오철 하이닉스 사장은 2010년 4분기 경영설명회에 참석해 올해 계획을 밝히며 "차세대 D램 20나노급, 낸드 플래시 20나노 제품의 개발과 양산을 통해 기술과 원가 경쟁우위를 강화해 나갈 것"이라고 밝혔다.

특히 "하반기에 20나노 후반 D램을  개발할 것이며, 30나노급에서는 1등업체(삼성전자)와 출시 시차가 있었지만, 20나노급 D램 개발과 양산은 갭을 줄여나가겠다"고 강조했다.

스마트폰과 태블릿PC 등 메모리 응용 분야가 다변화돼 차별화된 제품의 특성과 품질, 융복화 솔루션 제품 등 수요에 따라 제품 포트폴리오 확대해 안정적 수익기반을 확대하겠다는 의지도 강하게 내비쳤다. 

또, 이어 "재무적 기반에서도 지속적으로 차입금을 축소해 재무구조를 안정화 하겠다"며 한층 발전된 모습을 보이겠다고 각오했다. 

권 사장은 올해가 메모리 반도체의 새로운 기반을 다지는 해가 될 것으로 내다봤다. 

권 사장은 "2011년은 새로운 IT기기의등장과 디지털 기기의 스마트,모바일화를 통해 D램은 PC에서모바일 영역으로, 낸드 수요는 모바일에서 PC 수요로 확대되면서 메모리 반도체의 신성장기로 돌입하는 한해가 될 것"이라고 봤다. 

하지만 메모리 반도체의 공급량이 크게 증가하지는 않을 것으로 전망했다.

권 사장은 "공급 측면에서는 공정 미세화가 더욱 어려워지고 투자 비용이 급증하고 있는 가운데, 수익성이 저조한 업체들의 투자규모는 지난해 대비 크게 감소되고, 공급 증가율도 지난해와 비슷하 수준으로 제한될 것"으로 봤다.

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[뉴스핌 Newspim] 유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )