[뉴스핌=김사헌 기자] 최근 일본 주요 연구개발(R&D) 성과에 따르면 속도도 훨씬 빠르면서 소모전력이 작은 자기저항식 랜덤액세스 메모리(Magnetoresistive random-access memory), 이른바 M램(MRAM)이 조만간 시장의 주력인 D램(DRAM)을 대체하게 될 것이란 전망이 나오고 있다고 30일 니혼게이자이신문(日本經濟新聞)이 '신기술'란을 통해 소개했다.

특히 저장용량 문제가 해결되고 있는 최근 연구개발 결과는 기존에 생각했던 것보다 빠를 것이란 관측을 불러오고 있다. 고용량 M램 칩은 2015년 정도면 출시될 것으로 전망되는데, 지난 2006년 기준으로 무려 340조원에 달하는 D램 시장의 대체 가능성은 매혹적일 수밖에 없다.

한국이 국가사업으로 추진하고 있고 미국의 주요 기업들도 M램 기술 경쟁에 나서고 있는 만큼, 이 전도유망해 보이는 제품 개발은 국가간 경쟁 양상으로 치닫고 있는 실정.

이번에 니혼게이자이는 지난 5월 4일~8일 스페인에서 열린 국제회의에서 도시바와 여타 기업들이 우표 크기의 1기가 용량의 M램칩의 상용화 가능성을 제시하면서 이목을 집중시켰다고 전했다.

알려진 바에 따르면 M램은 전력 소모가 D램의 10%에 불과하지만 그보다 속도가 엄청나게 빠르고, 전력이 공급되지 않더라도 정보를 유지할 수 있다. 이렇게 되면 개인용 컴퓨터 같은 경우 순식간에 부팅할 수 있다.

그동안 M램의 용량을 확대하는 것이 가장 큰 문제였다. 워낙 미세한 장비다보니 열이 가해지면 자성이 불안정해지기 때문.

그런데 도시바와 일본산업기술종합연구소(AIST)가 언급한 물질은 낮은 전류를 통하게 하면 안정적인 특징을 보이는데, 이른바 스핀-램(spin-RAM)이라고 불리는 이것은 전류를 이용해 자성의 극을 전환하게 된다. 이 같은 연구개발 결과는 미국과 한국 연구진들로부터 물밀듯한 질문을 받았다고 한다.

M램칩 개발의 또다른 일본 주자는 히타치와 토호쿠대학. 이번달 19일 프랑스에서 열린 국제 컨퍼런스에서 이들은 서로 다른 크기의 M램이 열에 의해 오작동을 보일 가능성을 계산하는 방법에 대해 발표했다.

업계의 컨센서스로는 상용화에 성공하려면 10년 동안 사용할 때 1% 미만의 오작동이 발생해야만 한다. 이번에 히타치와 토호쿠대학이 내놓은 방법은 이런 오작동 예방장치 개발에 대한 희망을 불어넣었다는 평가를 받았다.

신문은 한국 삼성전자와 하이닉스와 같은 경쟁자들이 한국 정부의 M램 프로젝트에 함께 참여하면서 이 분야에서 일본 기업들을 추격하고 있으며, 미국도 IBM과 여타 벤처업체들이 M램을 개발하는 독자적인 프로젝트를 추진 중이라고 소개했다.