[서울=뉴스핌] 김현구 기자 = 불법유출된 국가핵심기술을 부정사용해 중국 최초로 D램을 개발한 중국 반도체회사 개발실장 등이 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 국가핵심기술부정취득 혐의로 중국 청신메모리반도체(CXMT) 핵심 개발인력인 전 삼성전자 임원 양모 씨, 전 삼성전자 연구원 권모 씨, 신모 씨 등 3명을 구속기소했다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사로, 해당 국가핵심기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정기술로서 D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심정보다.

앞서 검찰은 삼성전자 국가핵심기술 유출정황을 발견하고 직접수사에 착수해 지난해 1월 삼성전자 부장 출신 김모 씨, 지난 5월 삼성전자 연구원 출신 전모 씨 등 2명을 각각 구속기소한 바 있다. 특히 김씨는 1심에서 기술유출 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받기도 했다.

이후 검찰은 개발 과정에 대한 추가 수사를 진행한 결과 CXMT는 설립직후 김씨와 전씨를 영입해 삼성전자의 국가핵심기술 확보 및 핵심인력 영입을 통한 D램 개발계획을 수립하고, 초기 개발실장 김씨 등이 삼성전자 퇴직자 박모 씨를 통해 D램 공정 국가핵심기술 유출자료를 부정취득한 사실을 밝혀냈다.

현재 인터폴 적색수배 중인 박씨는 수백 단계의 공정정보를 노트에 베껴 적어 유출했다.

CXMT 2기 개발팀인 양씨는 2기 개발실장을 맡으면서 전체개발을 총괄했고, 개발팀장인 신씨와 팀수석인 권씨는 각각 공정개발과 실무를 총괄했다.

이들은 1기 개발팀으로부터 삼성전자의 국가핵심기술 유출자료를 전달받은 뒤, 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출자료를 검증하고 이를 토대로 제조테스트를 진행하는 등 삼성전자의 국가핵심기술 유출자료를 이용해 D램을 개발했다.

이에 CXMT는 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 드러났고, 양씨 등은 CXMT로부터 4~6년간 15~30억원 등 삼성전자 연봉의 3~5배 달하는 연봉을 약속·지급받았다.

검찰 관계자는 "이 사건으로 인한 삼성전자의 손해는 지난해 추정 매출 감소액만 5조원에 이를 뿐 아니라 향후 최소 수십조원의 피해가 예상되는 등 유사 이래 최대의 기술유출사건으로 확인됐다"며 "앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출범죄에 엄정 대응하도록 하겠다"고 밝혔다. 

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