[뉴스핌=황세준 기자] 삼성전자가 10나노급 D램 양산에 세계 최초로 성공했다. 지난 2014년 20나노급 양산에 이어 2년만이다.
삼성전자는 지난 2월부터 10나노급(1나노=10억분의 1미터) 8기가비트 DDR4(Double Data Rate 4) PC용 D램을 양산 중이라고 5일 밝혔다.
회사측에 따르면 지난 2014년 세계 최초로 20나노 4기가비트 DDR3 D램을 양산한 데 이어 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다.
삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에
이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의
시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해
모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을
대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.

8기가비트 4개를 합치면 4기가바이트 용량의 D램 모듈이 된다. 삼성전자는 PC용 4기가바이트 DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대할 계획이다.
10나노급 8기가비트 DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현했다.
동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공한다.
이는 삼성전자가 독자 개발한 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 결합됐기에 가능했다.
삼성전자는 특히 '초고집적 설계 기술'을 통해 20나노 8기가비트 DDR4 D램보다 생산성을 30%이상 높였다.
또 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현했다.
D램은 트랜지스터와 캐패시터의 적층 구조로 구성한다. 곧, 10나노급 8기가비트 D램은 초고속으로 동작하는 트랜지스터 위에 고용량 캐패시터를 나노단위 간격으로 배열해 완벽하게 동작하는 셀을 80억개 이상 만들어야 한다.
삼성전자는 '사중 포토 노광 기술'을 통해 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성함으로써 이를 해결했다.
아울러 삼성전자는 D램의 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 '초균일 원자 유전막 형성 기술'을 적용했다. 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다.
[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)












