AI 핵심 요약
beta- 삼성전자가 2일 대만서 HBM5 실물·열관리 기술을 처음 공개하며 AI 메모리 시장 선점 의지를 밝혔다.
- HBM5에 HPB 열관리와 2나노 베이스 다이 적용을 추진하며 HBM4·HBM4E 후속 차세대 HBM 로드맵을 제시했다.
- 삼성전자는 엔비디아 베라 루빈 시스템 지원 등으로 종합 메모리·스토리지 포트폴리오와 글로벌 협력 기반 기술 리더십 강화를 강조했다.
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HBM4·HBM4E 이어 차세대 메모리 로드맵 제시
[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 실물 모형과 새로운 열관리 기술을 처음 공개하며 인공지능(AI) 메모리 시장 선점 의지를 드러냈다. 업계 최초 HBM4 양산과 HBM4E 샘플 출하에 이어 차세대 제품 로드맵까지 공개하면서 AI 반도체 시장 주도권 확보에 속도를 내는 모습이다.
삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO)인 송재혁 사장은 2일(현지시간) 대만 컴퓨텍스 전시장에서 차세대 메모리 기술 전략을 소개하며 "메모리와 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 중요해지고 있다"고 밝혔다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 실물을 처음 공개하고 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 제품 구조를 선보였다. HPB는 AI 메모리의 고성능화 과정에서 발생하는 발열을 효과적으로 분산·방출하는 기술로, 물리 계층(PHY) 영역에서 발생하는 열을 별도 경로를 통해 전달해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높이는 것이 특징이다.
송 사장은 "HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 시스템 효율을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 중요한 역할을 할 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현과 검증을 완료했으며, 향후 HBM5에 본격 적용해 성능과 안정성을 더욱 고도화할 계획이다.
삼성전자는 HBM5에 2나노 공정 기반 베이스 다이를 적용하는 방안도 추진 중이다. 제품 설계부터 메모리, 패키징까지 아우르는 종합 반도체 역량을 바탕으로 차세대 HBM 시장에서도 기술 리더십을 이어가겠다는 전략이다.
전시장에는 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 함께 공개됐다. HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 4나노 공정 베이스 다이를 결합한 제품으로, 핀당 14Gbps 속도로 안정적으로 동작하며 최대 16Gbps, 최대 4TB/s 수준의 대역폭 구현이 가능하다.
또 삼성전자 메모리가 탑재된 엔비디아의 베라 루빈 시스템도 전시됐다. 삼성전자는 HBM4와 소캠(SOCAMM)2, PM1763 등 베라 루빈 플랫폼을 지원하는 메모리·스토리지 포트폴리오를 모두 보유한 업계 유일 기업이라는 점을 강조했다.
시장조사업체 옴디아는 글로벌 HBM 시장 규모가 올해 589억 달러에서 오는 2029년 1983억 달러로 3배 이상 성장할 것으로 전망했다. 송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 바탕으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.
syu@newspim.com












