纽斯频通讯社首尔11月7日电 据韩国三星电子7日消息，公司正式量产具有最高存储密度的1Tb（太字节）"三比特单元"第八代V-NAND。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的第八代V-NAND输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），较上代提升1.2倍，可满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星电子闪存项目部Flash开发室副社长许成辉（音）表示，市场对更高密度、更大容量存储的需求大增刺激V-NAND层数增加。三星电子采用3D缩放技术，减少面积并降低高度，避免了缩小时通常发生的单元间干扰。第八代V-NAND将满足市场这一需求，并为客户提供差异化产品和解决方案。
韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社
