纽斯频通讯社首尔6月30日电 韩国三星电子30日宣布领先全球首次量产采用3纳米工艺的芯片。该芯片基于全环绕棚极（Gate-All-Around，GAA）制程工艺，尤其是领先最强竞争对手台积电，争取在代工芯片制造领域抢占过多资源。
3纳米GAA技术采用更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比可提供更高的性能和能耗比。至此，三星可调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，满足更多客户的不同需求。
根据三星电子提供的数据，与传统的5纳米芯片相比，第一代3纳米工艺可降低至多45%功耗，提高23%性能，并减少16%的面积。
此前有报道称，三星电子因技术问题，延期量产3纳米芯片。但公司出面表示，研发正按计划进行。
三星与台积电在芯片制造领域一直保持激烈竞争。台积电曾宣布，将在下半年量产3纳米芯片。分析认为，三星电子能否在激烈的竞争中脱颖而出，良率和客户成重中之重。
曾有消息称，三星电子3纳米芯片良率仅在35%左右，让业界对三星是否能实现芯片量产持谨慎态度。但本月22日，三星电子芯片负责人庆桂显在平泽工厂向媒体表示，将于近期公布量产3纳米芯片的消息。
一般而言，良率越高，说明在3纳米芯片量产过程中，每个晶圆生产的芯片越多，利润就越高，芯片价格也就越低。从客户的立场上来看，前者将成为选择芯片厂商的一大因素。业界期待三星电子提高3纳米芯片良率，扩大市场份额。
三星电子代工事业部长崔时荣表示，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中，比如首个High-k Metal Gate（HKMG）工艺、FinFET以及紫外光（EUV）等。公司希望本次率先在业界量产3纳米芯片保持在该行业的领先地位。
韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社
