纽斯频通讯社首尔6月28日电 韩国三星电子有望最快本周宣布量产3纳米芯片，新一代3纳米芯片采用Gate-All-Around（GAA）技术。业界认为，三星电子研发的3纳米制程工艺需在达到80-90%的良率且确保客户的情况下，才能在竞争中脱颖而出。

资料图。【图片=网络】

据业界28日消息，三星电子有望本月宣布量产3纳米芯片。

此前有报道称，三星电子因技术问题，延期量产3纳米芯片。但公司出面表示，研发正按计划进行。

三星与台积电在芯片制造领域一直保持激烈竞争。台积电曾宣布，公司将在下半年量产3纳米芯片。分析认为，三星电子能否在激烈的竞争中脱颖而出，良率和客户成重中之重。

曾有消息称，三星电子3纳米芯片良率仅在35%左右，让业界对三星是否能实现芯片量产持谨慎态度。但本月22日，三星电子芯片负责人庆桂显在平泽工厂向媒体表示，将于近期发布量产3纳米芯片，届时还将公布良率和客户情况。

一般而言，良率越高，说明在3纳米芯片量产过程中，每个晶圆生产的芯片越多，利润就越高，芯片价格也就越低。从客户的立场上来看，前者将成为选择芯片厂商的一大因素。业界期待三星电子提高3纳米芯片良率，扩大市场份额。

另外，与当前的FinFET工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社