[뉴스핌=박영국 기자] 삼성전자·하이닉스에 비해 나노공정에서 뒤처져 왔던 일본 엘피다가 세계 최초로 25나노(㎚) D램 개발 성공소식을 밝히며 반격을 가해왔다. 하지만, 국내 업계에서는 기존 엘피다의 나노공정 수준을 감안하면 25나노공정 조기 양산은 어려울 것이라는 지적이 나오고 있다.
엘피다는 지난 2일 홈페이지를 통해 25나노 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 용량 D램을 개발했다고 밝혔다. 오는 7월부터 이 제품을 양산하고, 연말에는 같은 공정의 4Gb 제품도 양산한다는 계획이다.
삼성전자와 하이닉스는 20나노급 공정 D램을 올 하반기 개발할 예정으로, 엘피다의 발표 내용이 사실이라면 가장 앞선 나노공정을 적용한 사례로 기록된다.
특히, 지난 1992년 업계 최초로 64메가비트(Mb) D램 개발 이후 줄곧 D램 공정에서 선두를 지켜온 삼성전자의 기록도 깨지게 된다.
반도체 미세공정이 중요한 이유는 생산성 제고와 제품의 전력절감 효과 측면에서 바라볼 수 있다.
먼저, 미세공정이 진화할수록 반도체 크기가 줄어들어 웨이퍼 한 장당 생산되는 제품 개수를 늘릴 수 있고, 이를 통해 생산단가를 낮춰 가격경쟁력을 높일 수 있다.
엘피다측은 새로 개발된 25나노 D램 기술은 30나노 공정에 비해 셀 면적을 30%나 줄일 수 있으며, 이에 따라 칩 생산성도 30%나 높아졌다고 밝혔다.
또, 이번에 개발된 25나노 공정을 통해 생산된 D램은 30나노공정의 제품에 비해 운영전력을 15%, 대기전력을 20%가량 저감시켜 준다고 덧붙였다.
하지만 국내 업계에서는 ‘엘피다에 허를 찔렸다’라는 반응보다는 ‘실제 양산에 적용 가능한 기술을 개발했는지에 대한 의혹 제기가 앞서고 있다.
현재 엘피다의 주력 제품이 50나노대인데다, 아직 30나노대는 양산에 착수하지도 않은 상황이기 때문이다. 엘피다의 주장이 사실이라면 40나노대에서 안정화 과정(수율향상)도 거치지 않고, 30나노대를 건너뛰어 25나노로 직행한다는 의미가 된다.
그동안 엘피다가 발표했던 내용이 후일 사실이 아닌 경우가 많았다는 점도 이번 발표에 대한 신뢰성을 떨어뜨리는 요인으로 작용하고 있다.
엘피다는 지난해 50나노급 공정을 거치지 않고, 60나노급에서 바로 40나노급 공정으로 D램 양산에 들어갔다고 발표한 바 있으나, 현재 주력 제품은 50나노급이며, 40나노급 비중은 미미한 수준인 것으로 파악되고 있다. 엘피다가 40나노급 D램을 정상적으로 양산하고 있다면 올해 1분기 60억엔(영업손실률 7%) 규모의 적자를 낼 이유가 없다는 지적도 나온다.
결국 엘피다의 이번 25나노 D램 개발 소식은 한국 기업에 뒤쳐진 이미지를 쇄신하고, 기업 이미지를 제고해 자금조달 측면에서 유리한 입지를 구축, 최근 겪고 있는 재무적인 어려움을 타개하기 위한 전략으로 보여 진다는 게 업계 분석이다.
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[뉴스핌 Newspim]박영국 기자 (24pyk@newspim.com)
