이 기사는 12월 2일 10시 55분 글로벌 투자시대의 프리미엄 국내외 마켓정보 서비스인 ‘골드클럽’에 송고된 기사입니다.
[뉴스핌=유효정기자]D램 가격 하락 속도가 늦춰지지 않고 있는 가운데, 하이닉스가 미세 공정 전환의 목표치 달성을 통한 수익성 개선에 박차를 가하고 있다.
2일 하이닉스 관계자는 “전체 D램 생산 가운데 40나노급 공정 제품이 40%를 넘어선 데 이어 12월 초 50%에 육박하고 있다”며, “당초에 목표했던 50% 수준을 연말까지 달성 가능할 것”이라고 말했다. 이어 하이닉스 내부에서는 내년 1분기에 60% 달성도 가능할 것으로 보고 있다.
특히 모바일, 그래픽, 서버용 D램 제품의 40나노급 공정전환도 이뤄지고 있으며, PC용 D램 대비 20~30% 높은 수익성을 기록하고 있어 이 제품들의 비중을 계속 높여갈 계획이다. 현재 전체 D램 생산의 약 60% 수준을 모바일, 그래픽, 서버용 등 제품이 차지하고 있다.
40나노급 공정 전환에 필요한 필수 이머전 스캐너 장비 일부를 최근 추가로 확보하기로 하고 연말 입고를 앞두고 있어, 생산적 장애 요인도 줄였다.
한편 삼성전자는 40나노급 이하 공정 전환률이 3분기 말 기준 40%를 넘어서 올 연말까지 60%를 달성하고, 30나노급 비중도 10%까지 확대할 계획이다.
이에 두 업체의 목표대로 라면 내년 초 국내 D램 생산량의 50% 이상이 40나노급 이하 공정으로 생산되게 된다.
또 하이닉스의 미세 공정 전환이 이뤄질수록 대만 후발 업체들과의 격차는 더욱 벌어질 것이라는 전망도 제기되고 있다.
김성인 키움증권 애널리스트는 지난 달 말 보고서를 통해 “대만업체의 12인치 팹 감가상각이 거의 완료된 상황으로 캐시 코스트가 일부의 주장보다 높을 수 밖에 없어 추가 하락 시 대만 및 일본 업체들의 추가감산 불가피(이미 시작)하다”며 “대만 업체와 국내 업체의 원가 경쟁력 갭이 현격히 벌어져 있다”고 평가했다.
대만 등 후발 업체들의 경우 50나노급의 안정적 양산에도 어려움을 겪고 있는 실정이다.
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[뉴스핌 Newspim]유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )
