25일 업계에 따르면, 이는 올해 투자 금액보다 1조3000억원 늘어난 금액으로 하이닉스는 차세대 D램인 40나노급 DDR3 생산 비중을 높이고 낸드 플래시 메모리 증산을 위해 투자 규모를 확대한 것으로 알려졌다.
또 하이닉스는 내년에는 D램, 낸드플래시 등 주력 제품의 공정 고도화와 생산력 확충에 집중적으로 투자할 계획이며 낸드 플래시의 경우 생산 규모를 두 배 가량 늘릴 예정으로 전해졌다.
하이닉스 측은 "이번 투자계획은 향후 업황 및 경영 여건에 따라 변경될 수 있다"고 공시를 통해 밝했다.












