이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 멀티 칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.
전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화를 비롯해 디지털 카메라와 MP3플레이어 네비게이션 등의 제품에 적합하다.
또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하고 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.
이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다는 게 하이닉스측의 설명이다.
하이닉스측은 다양한 성능을 갖춘 이번 제품은 모바일 인터넷 디바이스(MID)를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC) 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량화 저전력화 고속화 소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 기대했다.
하이닉스는 이번에 개발된 2기가비트 모바일 D램 제품을 내년 상반기부터 양산할 계획이다.
시장 조사기관 아이서플라이의 보고서에 따르면 모바일 D램 시장이 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2007년 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 보고 있다.












