두 애널리스트는 "이번 제품은 모바일 D램 칩 자체 판매는 물론 낸드와 MCP(Multi Chip Package)돼 판매된다"며 "따라서 D램은 물론 낸드 매출에도 동시에 기여가 가능하다"고 전망했다.
다음은 하이닉스 분석보고서 요약입니다.
하이닉스가 개발한 세계 최고속(200MHz), 초소형(10*8mm)의 512Mb 모바일 DRAM은 Product Mix 개선 효과로 2007년 2분기 이후 하이닉스의 실적 개선에 기여할 전망이다. 12월 4일 발표한 하이닉스의 모바일 DRAM칩은 200MHz의 속도로 초당 1.6GB의 데이터를 처리할 수 있다. 기존 세계 최고속 모바일 DRAM인 키몬다의 183MHz보다 더 빠르며, 기존 하이닉스 모바일 DRAM의 133MHz보다는 무려 1.5배가 빠른 데이터 처리 속도이다. 크기에 있어서도 기존 최소형이었던 삼성전자의 모바일 DRAM 크기(11*8mm) 보다 10% 작다.
2007년 모바일 DRAM 시장은 멀티미디어 기능 증가에 따라 휴대폰의 메모리 구성 변화를 가져오고 있다. 즉, NOR + PSRAM 구조 (XiP, Execute in Place)에서 NAND + Mobile DRAM (SnD, Store and Downlod) 구조로의 변화가 내년에는 더욱 가속화될 전망이다. 따라서 하이닉스의 이번 제품은 모바일 DRAM 칩 자체 판매는 물론 NAND와 MCP(Multi Chip Package)되어 판매되므로, DRAM은 물론 NAND 매출에도 동시에 기여가 가능하다. 특히 최근 모바일 DRAM 시장의 수요는 초고속, 저전력, 대용량, 초소형을 요구하는 추세이므로, 모바일 DRAM에 있어서의 경쟁력이 중요하다고 볼 수 있다.
2006년 상반기 글로벌 모바일 DRAM 시장의 M/S는 엘피다 52%, 삼성전자 28%, 키몬다 15%, 마이크론 5.5% 수준이다. 하이닉스는 모바일 DRAM 시장의 입지가 거의 없었으나, 이번 제품 인증이 마무리 단계이므로 2007년 2분기 이후부터는 본격적인 M/S 확보가 가능할 것이다. 또한 모바일 DRAM은 commodity DRAM 대비 약 50~80%의 프리미엄이 있으므로 향후 Product Mix 개선 효과를 기대할 수 있다고 판단된다.












