하이닉스는 현재 삼성전자의 80나노 이전 속도가 계획보다 지연됨에 따라 내년 1분기 D램시장 안정화에 따른 반사이익이 기대되고 있다. 윈도비스타의 긍정적 영향, 디램 산업의 구조조정 완료 등으로 올 4분기와 내년 1분기 각각 6000억원 이상의 실적이 기대된다는 주장도 나오고 있다.
지난 4일 하이닉스가 발표한 '세계 최고속 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발' 역시 상대적으로 경쟁사 대비 점유율이 약했던 모바일 디램 시장에서의 경쟁력을 확보했다는 차원에서 긍정적인 평가를 받고 있다.
◆하이닉스 투자매력 '상대적'으로 상승=증권가에서는 하이닉스의 생산성 개선과 실적 개선에 대한 호평이 이어지고 있다.
대신증권은 최근 발간한 '2007년 산업전망 ' 보고서에서 하이닉스가 지난 2006년 메모리 업체 중 생산성 개선이 가장 컸던 업체라고 평가했다.
대신증권은 "2007년에는 디램 80나노 공정 전환 문제가 업체간 경쟁력 변화에 키팩트"라며 "하이닉스가 80나노 공전전환을 조기에 진행하는 것은 해외 경쟁사들과의 경쟁력 격차를 더욱 벌이는 요소가 될 것"이라고 분석했다.
생산성 개선과 밀접한 관계가 있는 D램 미세공정에서도 하이닉스가 삼성전자를 역전하기 시작했다는 보고서도 나왔다.
굿모닝신한증권 송종호 애널리스트는 "하이닉스의 생산전략이 계획대로 진행되고 있다"며 "이는 내년 상반기 실적이 예상보다 개선될 수 있는 근거"라고 말했다.
송 애널리스트는 각사 탐방 결과 "하이닉스의 디램 80나노 공정 비중은 4분기 평균 30%, 4분기말 50% 수준이 가능할 전망"이라며 "삼성전자의 경우 디램 80나노 공정 비중을 4분기말 30% 수준으로 예상한다"고 밝혔다.
그는 "새로 개발한 모바일 디램 제품의 매출 기여는 내년 하반기부터 발생할 것"이라고 덧붙였다.
◆하이닉스 '성장' 전략 지속한다=하이닉스는 내년에도 기존 '성장' 전략을 고수할 예정이다. 선두업체와의 폭을 줄이기 위해 노력을 하겠다는 입장.
하이닉스측은 "일부 증권사에서 말한 하이닉스가 디램 미세공정에서 경쟁사를 앞서기 시작했다는 지적은 아직은 너무 이른 얘기"라며 "일부 공정에서는 앞설 수 있으나 전체는 아니다"라며 자세를 낮췄다.
하이닉스 관계자는 "지난 2005년부터 '성장'에 초점을 맞추고 전략을 짜고 있다"며 "12인치 웨이퍼 생산능력 확대와 80나노 공정 강화가 포인트"라고 강조했다.
반도체 기술은 웨이퍼에 전자회로를 만드는 것으로 칩의 대량생산을 통해 생산원가를 낮추고 가격경쟁력을 확보하는 것이 중요하다. 칩의 대량생산을 위해서는 큰 웨이퍼를 사용해 웨이퍼당 칩의 생산량을 증가시키거나, 동일한 웨이퍼 상에서 회로 선폭을 줄임으로써 칩의 생산량을 증가시켜야 한다.
삼성전자는 80나노 이전 속도에 대해 지난 3분기 기업설명회에서는 4분기말 40%를 제시했으나 싱가폴 테크 포럼에서는 내년 1분기 평균 비중을 30%로 제시했다.
삼성전자 관계자는 "이같은 수정은 특별한 이유는 없다"며 "계획은 수정될 수도 있는 것"이라며 공정 전환에 문제가 발생한 것은 아니라고 설명했다.
굿모닝신한증권 송종호 애널리스트는 "삼성전자의 80나노 이전 속도가 계획보다 느린 점은 디램 시장의 공급 안정세가 지속될 수 있는 배경"이라며 "4분기 실적 호전, 80나노 디램 미세 공정 경쟁 우위, 내년 1분기 디램 시장 안정 등을 고려할 때 하이닉스에 대한 투자 매력도가 상대적으로 높아졌다"고 평가했다.












