AI 핵심 요약
beta- 삼성전자는 8일 ASML과 차세대 반도체 동맹을 강화했다.
- ASML 주도 12인치 포토 마스크 컨소시엄에 참여했다.
- 2028년까지 High NA EUV 도입 협력도 확대했다.
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
2028년 업계 최초로 차세대 D램 제조에 'High NA EUV' 도입
[서울=뉴스핌] 이승우 기자 = 삼성전자가 세계 최대 노광장비 기업인 네덜란드 ASML과 협력해 차세대 반도체 제조 동맹을 강화한다.
삼성전자가 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)'에 참여하고 차세대 12인치 포토 마스크 공동 개발에 나선다고 8일 밝혔다.

대형 마스크 컨소시엄은 반도체 노광설비에 사용되는 6인치를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 노광설비와 포토 마스크 관련 글로벌 기술 동향을 함께 모니터링하고 12인치 포토 마스크 개발을 목표로 공동 연구, 표준 개발 등의 협력 활동을 펼칠 계획이다.
포토 마스크란 미세 회로 패턴을 정교하게 새긴 정밀 '마스크(틀)'이다. 노광설비 내에서 빛을 통해 웨이퍼에 설계된 패턴을 새기는 필수 도구이며 회로를 새기는 정밀도가 반도체 성능과 수율을 결정짓는다.
그 동안 반도체 노광 공정에는 6인치 마스크가 사용되어 왔다. 'High NA EUV' 도입과 함께 12인치 마스크로 전환하면 나누어 새기고 이를 연결하는 작업(stitching) 제약을 해소할 수 있어 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮출 수 있다.
High NA EUV는 렌즈 개구수를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세회로를 단일 노광으로 구현하는 차세대 장비다.
설계 단계에서 수백억 개의 트랜지스터를 정밀하게 배치하는 첨단 반도체의 경우 12인치 마스크를 사용하면 경제성을 높일 수 있다. High NA EUV 설비의 이점을 온전히 활용할 수 있다.
삼성전자는 오랜 EUV 사용 경험과 기술 리더십을 바탕으로 12인치 포토마스크 전환에서 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대된다.
삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 차세대 노광 설비 High NA EUV 도입을 위한 협력도 강화할 계획이다. 정밀한 패터닝을 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하고 공정 단순화와 생산성 제고를 동시에 실현할 수 있을 것으로 기대된다. 양사는 첨단 AI 반도체 제조에 요구되는 성능과 효율을 한 단계 끌어올릴 기술 개발과 도입을 더욱 앞당긴다는 계획이다.
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 "AI시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다"며 "삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 'Next AI'를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것"이라고 밝혔다.
크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 최고경영자(CEO)는 "삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다"며 "AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이하여 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다"고 말했다.
raul1649@newspim.com












