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"TSMC·인텔 붙자" 삼성전자도 '2나노' 반도체 만든다

GAA 기술 기반 2나노 반도체 2025년 양산
3나노 반도체는 내년 상반기에 양산 목표

  • 기사입력 : 2021년10월07일 02:00
  • 최종수정 : 2021년10월07일 02:00
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[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 2나노미터(㎚=10억분의 1m) 반도체 양산 계획을 처음으로 밝혔다. 오는 2025년 양산이 목표로, 삼성전자가 고유의 'GAA(Gate All Around)' 기술을 적용한다.

이에 앞서 2나노 반도체 양산 계획을 발표한 대만의 TSMC, 미국의 인텔과의 반도체 기술경쟁이 후끈 달아오를 전망이다.

삼성전자는 7일 새벽 온라인으로 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 이같이 밝혔다. 삼성전자는 이날 포럼에서 'GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획'과 '17나노 신공정 개발 계획'을 공개했다.

GAA 기술은 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 기술이다. 삼성전자는 내년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고, 2023년 3나노 2세대, 2025년 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝혔다.

특히 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET™(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상시키고 전력소모는 50%, 면적은 35% 줄일 수 있다.

삼성전자는 "3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다"고 밝혔다.

삼성전자는 이와 함께 "효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술을 지속적으로 개선하고 있다"며 핀펫 기반 17나노 신공정을 발표했다.

17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43% 줄일 수 있다.

특히 평면 트랜지스터 기반의 28나노 이상 공정을 주로 활용하는 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등의 제품에도 17나노 신공정을 적용할 수 있어 다양한 응용처로 확대할 수 있다.

삼성전자는 또 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 MCU(Micro Controller Unit)에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT, 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처를 다변화할 계획이다.

8나노 RF(Radio Frequency) 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 밀리미터파(mmWave) 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획이다.

이번 '삼성 파운드리 포럼 2021'은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록하며 높은 관심을 끌었다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고 GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어가겠다"며 "코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나가겠다"고 말했다.

삼성전자는 파운드리 고객과 파트너사의 생태계 강화를 위한 세이프 포럼(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem)을 다음달 온라인으로 개최할 예정이다.

syu@newspim.com

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