[뉴스핌=송주오 기자] 삼성전자가 세계최초로 3비트를 적용한 3차원(3D) 수직구조 낸드플래시 메모리를 선보이며 기술 우위를 이어갔다.
삼성전자는 5일(현지시각) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리 서밋 2014' 행사에서 '32단 3비트 V낸드' 제품을 공개했다. 이 제품은 기존 평면구조 3비트 낸드플래시 보다 생산 효율이 2배 높다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장해, 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장효율이 2∼3배 뛰어나다.
3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 이번이 처음이다.
이번에 개발한 3비트 V낸드는 셀 적층 수를 32단으로 높여 기존의 10나노급 3비트 낸드보다 집적도가 30% 이상 높은 것으로 알려졌다. 또한 칩 하나가 저장할 수 있는 정보량이 많아지고 처리 속도도 2배 이상 향상됐다. 반면 전력 소모량은 40% 정도 절감됐다.
[뉴스핌 Newspim] 송주오 기자 (juoh85@newspim.com)












