[뉴스핌=장순환 기자] 일본의 히타치화성공업주식회사（사장 다나카 카즈유키)은 15일 국내 반도체 장비업체인 케이씨텍(K.C.Tech Co.,Ltd)에 대해 화학기계적 연마의 산화세륨 슬러리 (이하 CMP슬러리)와 관련된 자사의 미국 특허를 침해했다며, 미국 텍사스주 오스틴 서부지방법원에 소송을 제기한다고 밝혔다.
히타치화성은 케이씨텍의 CMP슬러리 ‘KCS-3100’이 자사의 미국 특허권을 침해하고 있다고 판단, 지난해 6월부터 문제해결을 위해 케이씨텍과 협의를 진행해 왔지만 합의점을 찾지 못했다.
따라서 케이씨텍으로부터 지적재산을 보호하고 특허사용료를 요청하기 위해 미국 법원에 소송을 제기했다.
케이씨텍이 침해한 것으로 판단되는 히타치화성의 특허권은 2건으로, USP 7,115,021과 USP 7,871,308이다.
CMP슬러리는 반도체 평탄화 공정(Chemical Mechanical Planarization)에 사용되는 연마제로, 화학적 연마와 기계적 연마를 동시에 수행해 웨이퍼의 평탄도를 높이고 공정 시간을 줄일 수 있다.
히타치화성의 CMP슬러리는 풍부한 제품 라인업, 신뢰성 높은 품질, 우수한 기술 덕에 세계에서 많은 고객들이 사용하고 있는 제품으로, 특히 STI*용은 세계 1위 점유율을 차지하고 있다.
이번 소송의 대상이 되는 특허 2건도 히타치화성의 연구개발 노력에 따라 취득한 것이다.
히타치화성은 앞으로도 반도체업계의 발전을 위해 CMP의 혁신적인 제품 및 제조법 개발에 집중하는 한편, 자사의 특허 및 그 밖의 지적 재산을 보호하고 적극적으로 권리를 행사할 것이라고 밝혔다.
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[뉴스핌 Newspim] 장순환 기자 (circlejang@newspim.co.kr)
