[뉴스핌=신동진 기자] NAND 플래시 시장의 공정 미세화 경쟁이 갈수록 치열해지고 있다. 이는 후발업체인 하이닉스의 2xnm 개발 성공으로 더욱 심화됐다는 평가다.

이번 하이닉스의 2xnm의 개발 성공으로 하이닉스와 선두업체와의 기술 격차는 3개월 내로 축소됐으며 경쟁력도 빠르게 회복하고 있다는 게 시장전문가의 설명이다.

HMC투자증권 김영찬 애널리스트는 11일 NAND 플래시 시장 동향에 대해 "하이닉스·IMFT의 2xnm 개발성공으로 NAND 플래시 공정 미세화 경쟁이 더욱 치열해졌다"며 "하이닉스는 이번 성공으로 선두업체와의 기술격차를 3개월 내로 축소, 경쟁력을 빠르게 회복하고 있다는 점에 주목해야 한다"고 분석했다.

다음은 리포트 내용.

- 점입가경인 업체간 공정 미세화 경쟁

후발 업체인 하이닉스, IMFT의 2xnm 개발 성공으로 치열해진 공정 미세화 경쟁

하이닉스가 선두 업체와의 기술 격차를 3개월 내로 축소, 경쟁력을 빠르게 회복있다는 점에 주목

- 업체별 공정 개발 동향

삼성전자 : 2xnm 개발은 완료된 것으로 보이며, 2분기 내 양산 예상

Toshiba : 2xnm 개발 완료를 공식화하고, 3분기 내 양산 예상

IMFT : 2xnm 최초 개발 성공, 2분기 양산 예상

하이닉스 : 26nm 3분기 양산 예상

- 업체간 공정 미세화 경쟁 속에서 공급량 증가는 불가피하나, 2010년 수급은 균형을 유지할 전망

다양한 휴대기기 출현하고 있고, (Tablet PC / MS, Google 등의 휴대기기 등)

완제품 업체간의 영역 없는 경쟁이 심화되고 있으며, (PC 업체의 Smart Phone 진출 등)

휴대기기의 기능Convergence로 NAND 채용 용량이 증가함에따라 NAND 수요 확장 가능성이 매우 높은 상황이기 때문