샌디스크와 도시바는 이번 발표로 메모리 카드에서 SSD에 이르는 다양한 제품들의 생산 비용을 줄이는 동시에 용량을 확대할 수 있을 것으로 예상했다.
샌디스크 공동 창업자 겸 사장인 산제이 메흐로트라 (Sanjay Mehrotra)는 "우리는 빠르게 변화하는 시장 속도에 맞추어 56nm공정 기반의 제 1세대 3중셀(X3) 기술이 도입된 지 1년 반 만에 32nm 공정 기술을 적용한 제3세대 3중셀을 개발했다"고 강조했다.
그는 "이번에 발표된 기술은 샌디스크의 기술력과 혁신 수준을 보여주는 것으로 이를 통해 생산 비용 절감과 강력한 폼 팩터 상에서의 용량 확대가 가능해져 본사의 제품 라인을 보다 확장할 수 있을 것으로 기대된다"고 덧붙였다.
이번에 샌디스크와 도시바가 공동으로 개발한 32nm 기술 기반의 32Gb 3중셀은 지금까지 발표된 것 중 가장 크기가 작은 낸드플래시 메모리 다이(die)다.
휴대 전화나 기타 전자 제품에 광범위하게 사용되고 있는 손톱 크기의 마이크로SD 카드에 적합하다는 게 양사의 설명이다.
샌디스크 관계자는 "세계에서 가장 집적도가 높은 32Gb 3중셀은 비슷한 다이 면적으로 43nm 기반의 마이크로 SD 카드의 두 배에 달하는 용량을 제공한다"며 "32nm공정기술과 회로 설계의 발전은 113mm2 다이-크기 공정에 상당한 기여를 했고 샌디스크가 특허를 보유하고 있는 ABL(All-Bit-Line) 아키텍처는 3중셀의 쓰기 성능을 보다 경쟁력 있게 구현했다"고 전했다.
샌디스크 수석 부사장인 요람 세더(Yoram Cedar)는 "32nm 3중셀 다이는 풋프린트(footprint)가 작고 밀도가 높아서 보다 더 큰 용량의 마이크로SD 카드를 생산할 수 있을 것"이라면서 "마이크로SD 폼 팩터는 휴대전화의 저장 용량 수요가 늘어나면서 인기를 끌고 있으며 3중셀을 활용해 향후 휴대 전화 시장에 획기적인 신제품들을 출시할 수 있을 것"이라고 말했다.












