삼성전자는 "D램과 낸드플래시는 4분기 계절적 수요 증가에도 불구하고, 공급 과잉에 따른 가격 약세가 지속돼 매출과 이익이 감소했다"고 분석했다.
하지만 4분기 영업이익 4300억원과 영업이익률 9%는 업계 최대 규모로 적자에 시달리고 있는 메모리 업계에서 차별화된 경쟁력을 입증한 것으로 평가했다.
삼성전자는 특히 68나노 D램과 51나노 낸드플래시 생산 비중을 확대해 원가경쟁력을 강화하고 모바일D램 그래픽DDR 8Gb SLC 등의 프리미엄 제품 비중확대를 통해 수익 차별화 전략이 성공한 것으로 자평했다.
시스템LSI의 경우 휴대폰용 DDI, CMOS 이미지 센서와 미디어 플레이어 칩 등의 매출 호조로 매출이 전분기 대비 21% 성장했다.
올해는 2006년에서 2007에 걸친 메모리 업체들의 공격적 투자와 증산의 여파로 공급과잉과 가격하락 압력이 상반기까지 이어질 것으로 전망된다.
삼성전자 관계자는 "하반기에는 업계 투자 축소와 계절적 수요 증가 등으로 시황이 호전될 것으로 전망된다"며 "대부분의 메모리 업체들이 수익성 악화로 고전하면서 투자 및 생산에 보수적 입장을 견지하고 있어 상반기에 수급이 개선될 가능성도 상존할 것으로 예상된다"고 설명했다.
삼성전자는 올해 반도체 전략을 D램에서 68nm 비중 확대와 56nm 도입, 낸드플래시에서 51nm 비중확대와 42nm 도입 등으로 원가를 절감하고 모비낸드(moviNAND)·SSD 등 차별화 제품 판매를 확대해 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다.












