다음은 리포트 요약이다.
-DRAM 가격 상승 반전
지난해 하반기 이후 70% 수준의 큰 폭의 하락세가 나타나던 DRAM 가격이 6월 말을 저점으로 상승세를 보이고 있다. 512Mb DDR2 가격은 2.28 달러로 저점대비 30% 수준의 상승세를 나타냈다.
-이러한 가격 상승의 원인은
1) 가격 하락에 따른 수요 증가: 가격 하락으로 PC의 DRAM 장착량이 확대되는 등 수요가 증가하면서 가격이 상승할 것이라는 인식이 점차 확대되고 있기 때문이다. 지난해 하반기에는 가격 상승으로 PC의 DRAM 원가 비중이 12.4%까지 높아져 추가적인 DRAM 장착량 확대를 기대할 수 없었다. 하지만 현재는 가격 하락으로 원가비중이 6.7% 수준에 머물어 PC업체들이 DRAM 장착을 늘리는데 부담을 느끼지 않고 있어 수요 증가가 예상된다.
2) 출하량 조절 : 일부 DRAM 업체들이 현물 시장 출하량을 줄이면서 가격 인상을 시도하고 있기 때문이다.
3) DRAM 업체들의 생산 차질 문제 발생 : 파워칩, 프로모스 등 대만 일부 업체들이 70나노 공정 전환에 다소 어려움을 겪고 있다. 가격 하락으로 수익성이 둔화되면서 업체들이 원가 절감을 위하여 70나노 공정 전환을 서두르고 있다. 하지만 충분한 시간적 여유없이 70나노 공정으로 전환하면서 수율 하락에 따른 생산 차질이 발생하고 있다. 특히 프로모스의 경우 70나노 공정 전환 문제로 생산차질이 발생하여 생산량이 다소 감소한 것으로 추정된다.
-DRAM 가격 강세 : 장기적이기 보다는 단기적 현상
위의 요인을 감안할 때 가격 강세가 6~7월에 단기간적으로 이어질 수 있으나, 장기적으로 강세기조가 이어진다고 보기에는 무리가 있다고 판단된다. 이는 첫째, 지난해의 90나노 공정 문제와 달리 70나노 공정은 조기 안정화가 가능하기 때문이다. 70나노 전환은 90나노보다 공정의 변화가 상대적으로 적어 수율 안정화가 조기에 이루어질 전망이다. 이는 110나노에서 90나노로 전환하면서 이미 리소그래피, Capacitor등 주요 장비와 물질의 변화가 이루어졌기 때문이다. 리소그래피 장비는 KrF에서 ArF로 교체되었고, Capacitor 형성 방식이 기존의 MIS방식에서 MIM으로, Capacitor에 입히는 유전물질이 ZrO2 등으로 변화되는 등 90나노 공정에서 주요 장비 및 유전물질의 교체가 이루어져, 70나노에서는 변화가 상대적으로 적은 것으로 판단된다. 또한 프로모스, 파워칩의 생산 기술 제휴 업체인 하이닉스, 엘피다의 70나노 공정 전환이 순조롭게 이루어지고 있는 점을 감안할 때 생산 차질 문제가 오래가지는 않을 전망이다.
둘째, 가격 상승시 수요 증가세가 둔화될 수 있고, 업체들의 설비투자 압력이 높아질 수 있기 때문이다. 하반기 수요 증가의 가장 큰 원동력은 가격이 큰 폭으로 하락하였다는 점이다. 하지만 DRAM 가격이 상승할 경우 원가 부담이 높아져 추가적인 DRAM 장착량 증가에 부담이 될 것으로 판단된다. 또한 현재의 과잉 투자가 해소되기 위해서는 DRAM 가격의 약세가 지속되어 업체들이 투자 여력이 사라질 만큼 수익성이 둔화되어야 한다. 하지만 가격이 상승하면 DRAM 업체들의 수익성이 개선되어 설비투자 의지가 지속되기 때문에 공급량 증가 추이는 이어질 것으로 판단된다. 이러한 이유로 인하여 가격이 상승하면 일시적으로 회복세를 보일 수 있지만 장기적으로는 수요 부진 심화, 공급량 증가라는 더 큰 어려운 상황에 빠질 수 있다. 따라서 가격 상승이 장기적인 추세로 보기에는 무리가 있다.












