삼성전자는 2일 “세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 디램 양산에 착수했다”고 밝혔다.

이번 60나노급 디램은 '05년말 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품이다.

삼성전자는 “60나노급 공정은 기존 80나노 대비 40% 이상, 디램 업계의 현재 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성 향상이 가능하다”고 말했다.

삼성전자는 50나노 이하 초미세 기술을 위해 수년 前에 이미 확보한 원천기술을 금번 60나노 디램 양산에도 적용하고 있다.

원천기술 중 대표적인 것이 바로 RCAT(Recess Channel Array Tr.)기술인데, 이는 '03.6월 반도체 학회인 VLSI 학회에서 최우수 논문으로 선정된 삼성 독자 기술이다.

이 기술은 디램 셀의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화함으로써 집적도를 더욱 높인 기술로 50 나노급 이하의 핵심 기술이며 삼성은 이미 90나노부터 양산 적용 중에 있다.

또 '04년 삼성전자가 업계 최초로 범용 D램에 적용한 금속 기반 캐패시터 기술을 금번60나노에도 적용하였는데 이를 활용하면 캐패시터의 데이터 저장 특성을 개선할 수 있다.

이 외에도 대부분의 경쟁사들은 아직 8F²기술을 채택하고 있는데 반해 금번 제품은 6F²셀 구조기술을 채택하여 10~15% 생산성 향상이 기대된다.

이번에 양산 돌입한 60나노급 디램은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술을 바탕으로, 대용량 PC向 D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.

삼성전자는 이날 "올해는 윈도우 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리 용량이 512메가 바이트에서 최대 2기가 바이트까지 확대된다"며 "1기가 디램의 시장 확대는 더욱 가속화 될 것이다"고 말했다.