纽斯频通讯社首尔4月25日电 韩国SK海力士24日表示，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求剧增，决定扩充AI基础设施（Infra）的核心产品即HBM等新一代DRAM的生产能力（Capacity）。

当天，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定向厂房（Fab）建设投资约5.3万亿韩元。

SK海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在2025年11月竣工并开始量产。公司也将依次进行设备投资，从长远来看，计划向M15X投资逾20万亿韩元，由此进一步扩充产能。

SK海力士强调，作为AI应用的存储器领域全球领先者，公司希望通过向韩国生产基地加大投资，为激活韩国经济动能做出贡献，同时巩固提升"半导体强国"的地位。

随着AI时代的来临，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。公司认为，预计年均增长率高达60%以上的HBM、以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求也将持续增加。

在此趋势下，要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。公司认为，提高以HBM为主的DRAM产能是首要课题。

因此，SK海力士决定在龙仁半导体集群的第一座工厂竣工（2027年上半年）之前，在清州M15X厂生产新一代DRAM产品。公司也考虑了M15X厂的地理位置优势，其与正在扩充TSV1生产能力的M15厂相邻，可以进一步优化HBM生产。

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社