纽斯频通讯社首尔4月4日电 据韩国SK海力士4日消息，公司在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。
 |
| 【图片=纽斯频通讯社DB】 |
当地时间3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动，并在此发表上述计划。
印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）、美国参议员（印第安纳州）托德·杨（Todd Young）、白宫科技政策办公室主任阿拉提·普拉巴卡尔（Arati Prabhakar）、美国商务部部长助理阿伦·文卡塔拉曼（Arun Venkataraman）、印第安纳州商务部部长大卫·罗森伯格（David Rosenberg）、普渡大学校长蒋濛（Mung Chiang）、普渡研究财团理事长米奇·丹尼尔斯（Mitch Daniels）、西拉斐特市市长艾琳·伊斯特（Erin Easter）等美方有关人士和韩国政府的驻美韩国大使赵贤东（Hyundong Cho）、驻芝加哥总领事金丁汉（Junghan Kim）出席了此次活动。SK集团由SK美洲对外合作主管副会长俞柾准、SK海力士CEO郭鲁正、P&T担当副社长崔宇镇等高层人士参加了会议。
SK海力士表示："印第安纳州工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。公司将以此领先激活全球AI半导体供应链。"还补充道："通过在印第安纳州建设的生产基地和R&D设施，将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。"
在去年AI时代开始的同时，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装的重要性也随之加大。
SK海力士在用于AI的存储器市场掌握主导权，随后为了加强技术领导力考虑在美国投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点。美国聚集了AI领域的大型科技客户，也在积极推进先进后端工艺方面的技术研究。
公司经过评估多处候选地点，最终选择印第安纳州为投资地。印第安纳州政府积极推进招商引资，并且该地区拥有了丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等因素获得了高度评价。
印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）表示："印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展"。
SK海力士与印第安纳州建立地区社会发展伙伴关系的同时，也将为普渡研究财团、地区非营利组织和慈善组织的活动提供支持。
另外，SK海力士还将顺利推进已计划的韩国国内投资项目。公司将投资120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程。SK海力士计划在明年3月开工建造第一座工厂，并于2027年初完工。而且还将建造"迷你工厂1"以此加强材料、零部件、设备生态系统。
韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社
