[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = 네덜란드의 글로벌 반도체 장비 기업인 'ASML'의 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비가 처음 출하됐다. 2나노 첨단 반도체 양산을 계획 중인 삼성전자는 인텔보다 뒤늦게 이 장비를 받게 되면서 거센 추격을 받게 될 것으로 보인다. 

ASML은 21일(현지시간) SNS를 통해 '하이 뉴메리컬어퍼처(High NA) EUV 장비'를 미국의 반도체 기업 '인텔'에 납품했다고 밝혔다. ASML의 차세대 장비인 하이 NA EUV 장비는 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 핵심 역할을 한다.

이번에 ASML이 인텔에 납품하는 하이 NA EUV 장비는 미국 오레곤주의 인텔 D1X 공장으로 배송된다. 인텔은 이번에 납품받는 장비를 비롯, 6대를 선제적으로 확보한 것으로 알려졌다.

네덜란드의 글로벌 반도체 장비 기업인 'ASML'의 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비가 처음 출하됐다. 사진은 네덜란드 남부 노르트브라반트주 에인트호번에 위치한 반도체 제조장비 업체 ASML 본사. [사진=로이터 뉴스핌]

앞서 팻 겔싱어 인텔 CEO는 하이 NA EUV 장비의 첫 납품처는 인텔이 될 것이라고 밝혔다. ASML은 이 장비의 대량 생산을 2025년부터 시작할 것으로 보인다. 삼성전자도 오는 2025년 이 장비를 확보할 전망이지만 인텔보다 후순위에 있는 만큼, 인텔이 이 장비를 먼저 활용하면서 2나노 경쟁에서 추격이 본격화될 전망이다.

인텔은 내년 2나노에 진입한 뒤 2025년 1.8나노를 선보이겠다는 계획인 만큼 하이 NA EUV 장비를 즉각적으로 활용할 가능성이 크다. 삼성전자와 TSMC는 2025년 2나노 공정 양산에 돌입할 예정이다. 인텔은 파운드리 분야에서 후발 기업에 속하지만 이번 차세대 장비 확보 등에 힘입어 삼성전자 등 선도 기업들을 확실하게 추월하도록 2나노 관련 전략을 적극 펼칠 전망이다.

다만, 인텔이 파운드리 후발 기업인 것을 감안, 차세대 장비를 바로 들여도 기술력이 앞선 삼성전자를 바로 추월하기에는 무리가 있을 것이라는 분석이다.

앞서 지난 12일 윤석열 대통령의 ASML 본사 방문 당시, 삼성전자는 ASML과 함께 1조원을 투자해 차세대 EUV 기반의 초미세 공정을 공동 개발하는 '차세대 반도체 제조기술 연구개발(R&D) 센터'를 한국에 짓기로 했다. 삼성전자는 이번 계기로 ASML과의 반도체 동맹 의지를 명확히 내비친 만큼, EUV 장비 확보 및 관련 기술 개발 등을 위해 총력을 다할 것으로 보인다.  

한 업계 관계자는 "초미세 공정은 수 많은 경험과 기술력 등을 통해 이뤄지기 때문에 인텔이 삼성을 추월할 지는 지켜봐야 할 문제"라고 말했다.

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