随着5G商业化时代的到来，移动式3D VNAND需求有望增加。韩国三星电子采取措施，力求借此克服半导体危机。位于中国西安的半导体工厂和韩国平泽的半导体工厂二期有望分别在今年年末和明年6月提前投产。分析认为，这两处工厂将主要生产第5代和第6代高尖端3D VNAND。

据业界12日消息，三星电子位于平泽的半导体二期项目有望今年11月末竣工，待相关生产设备安装完成，最快可在明年6月份投产。

平泽古德产业园区总面积为289万平方米，相当于400个足球场大小。三星电子半导体工厂一期于2017年7月正式投产，是目前全球最大的半导体工厂。平泽工厂二期斥资约30万亿韩元，规模与一期相当。

三星电子副会长李在镕春节假期开启“海外出差模式”，首站选定位于中国西安的半导体工厂。分析认为，在半导体市场出现低迷态势的情况下，李在镕通过实地考察制定应对方案。

三星电子在西安的第一条闪存生产线于2014年建成，去年三星投资70亿美元用于建设第2家工厂。新工厂最快将于今年年末投产，届时三星电子西安生产基地的年产量将由现在的10万张增加到20万张。 

分析认为，在半导体行业状况恶化的情况下，三星电子加快新半导体工厂提前投产的主因是今后存储器需求将配合5G商业化的步伐，由DRAM转移至NAND闪存上。

为此，三星电子计划在本月20日推出的全新一代旗舰手机“Galaxy S10”上领先全球搭载TB级存储器，以此作为扩大需求的契机。因全球IT企业大举投入数据中心的建设，因此对服务器DRAM需求大增，这直接导致从2016年下半年起持续两年多的“超级周期”。但去年10月以来，DRAM价格在短短4个月内暴跌近30%，数据中心企业也纷纷调整库存，使DRAM价格和需求难以保持增势。

相反，业界认为NAND闪存价格自2017年起持续、缓慢地下降，为高容量、高配置3D NAND产品赢得了价格上竞争力，市场需求也有望提升。

市场调查机构DRAMeXchange发布的数据显示，NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）交易价由2017年9月的5.6美元跌至今年1月的4.52美元。价格的下降反而刺激了相关市场成长，全球NAND闪存市场规模由2016年的368.2亿美元增至2018年的626.28亿美元，2020年有望超过700亿美元。

去年，以华为、小米为主的中国手机厂商不断加大高端智能手机的存储容量，半导体采购同比增长40%至60%。有声音认为，随着中国未来陆续发布5G智能手机和内存价格下降，中国企业有望进一步扩大手机的内存容量。

专家认为，三星电子在Galaxy S10上搭载赶超电脑的TB级存储器，意在展现以全球第一的市场支配力为基础，促进扩大相关半导体需求的意志。拥有超过电脑的存储器容量和性能的智能手机的出现，将与5G商业化一道助力半导体市场发展。

记者 주옥함（wodemaya@newspim.com）