[뉴스핌=박영국 기자] 인텔이 3차원(3D) 설계를 적용한 트랜지스터를 공개하며 그동안 모바일 시장에서 부진했던 ‘굴욕’을 벗어던질 기세다. 모바일 AP 시장에서 신흥 강자로 떠올랐던 ARM과 삼성전자에게는 반갑지 않은 소식이다.
5일 파이낸셜타임스에 따르면, 인텔은 세계 최초로 3D 트랜지스터 설계 기반의 22나노 공정을 적용한 ‘아이비브리지’를 올해 양산할 예정이다.
아이비브리지에 활용될 3D 트라이 게이트 트랜지스터는 누설 전류를 최소화해 저전압에서 작동 가능하다. 32나노 평면형 트랜지스터에 비해 저전압에서 37% 향상된 성능을 제공한다는 게 인텔 측 주장이다.
인텔 관계자는 “50년 전 실리콘 트랜지스터가 나온 이후 처음으로 3D를 이용한 트랜지스터를 양산할 예정”이라며 “이는 수십 년간 사용됐던 2D 평면형 트랜지스터 구조로부터 근본적인 도약”이라고 말했다.
기존 반도체 트랜지스터는 평면 구조라 종이 위에 프린트하듯 설계됐으나 이를 입체화하면서 획기적인 기술적 도약을 이루게 됐다는 것.
이 기술에서 주목할 점은 저전력으로 탁월한 성능을 발휘할 수 있다는 점이다. 이는 스마트폰, 태블릿 등 모바일 기기에서 가장 필요로 하는 특성이다.
PC용 프로세서에서는 절대 강자였으나 모바일용 AP(애플리케이션프로세서) 시장에서는 맥을 못 추던 인텔이 ‘대반전’을 시도할 기술적 기반을 마련한 것.
그동안 인텔의 AP는 처리 속도는 빠르지만 전력 소모가 많다는 평가에 따라 모바일 시장에서 환영받지 못했다. 이 틈을 타 모바일 AP 시장을 꿰찬 회사가 ARM이다.
퀄컴, 엔비디아 등 AP 분야에서 유명한 회사들이 모두 ARM의 설계를 적용하고 있다. 애플 역시 아이폰과 아이패드 등에 ARM 설계를 적용한 칩을 장착한다. 그 칩은 삼성전자가 생산해 애플에 공급한다.
하지만, 인텔이 3D 기반의 저전력 AP를 생산할 경우 모바일 분야에서도 막강한 경쟁력을 갖게 된다. 그 결과는 상당한 파급력을 지닌다. ARM뿐 아니라 ARM 기술을 사용하는 모든 기업들이 영향을 받게 되는 것.
특히, 최근 애플이 차세대 칩 거래선을 삼성전자에서 인텔로 전환한다는 소식이 들려오는 상황에서 인텔의 3D 트랜지스터 개발 및 양산은 삼성전자에게는 더욱 뼈아픈 비보(悲報)라고 할 수 있다.
지난해 삼성전자가 애플로부터 벌어들인 돈은 무려 6조1천852억원으로, 소니에 이어 두 번째로 많았다. 올해의 경우 애플향 납품 규모가 8조원을 상회, 소니를 제치고 최대 고객으로 등극할 것으로 예상된다.
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[뉴스핌 Newspim]박영국 기자 (24pyk@newspim.com)












