[뉴스핌=신동진 기자] 삼성전자가 올해 메모리 9조원과 시스템 LSI 2조원 등 반도체 분야에만 11조원을 투자할 방침이다.

삼성전자는 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설과, 30나노 D램 양산을 위한 15라인 CAPA 증설을 위해 메모리 반도체 투자를 당초 계획한 5.5조원에서 9조원대로 확대할 계획이라고 17일 밝혔다.

삼성전자의 16라인은 총 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어선다. 오는 2011년부터 본격 가동에 들어가 12인치 웨이퍼로 월 20만매 이상을 생산하게 된다.

삼성전자의 반도체 신규라인 건설은 지난 2005년 15라인 이후 5년 만이다.

이번에 기공식을 가진 16라인은 완공까지 단계적으로 총 12조원 규모를 투자할 계획이다.

또 15라인의 CAPA 증설을 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 확대해 저전력·고성능 D램 공급 확대 요구에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.

한편, 시스템LSI도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, D-TV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자를 추진하여 고객들의 공급 확대 요구에 대응해 나간다는 전략이다.