회사 관계자는 "GaAs 연속성장법과 SiC(2,500℃), GaP(150기압, 1,500℃)와 같은 극한 기술개발 경험에 근거해 러시아, 미국에서 독점하고 있는 Ingot 제조기술을 국산화하고 해당 웨이퍼를 양산, 제조할 것"이라고 설명했다.
또한 "이를 통해 향후 수년내 급성장할 것으로 예상되는 LED시장으로의 본격진출에 따른 매출증대가 기대된다"고 덧붙였다.
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