삼성전자가 지난해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가 DDR2 D램에 대한 인텔 인증을 획득했다고 19일 밝혔다.
회사측은 "50나노급 D램으로는 업계 최초로 인증을 완료한 것"이라며 "DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인 받았다는데 큰 의미가 있다"고 설명했다.
이 회사는 "지난 3월부터 업계 최초로 60나노급 1기가 DDR2 D램을 양산해 70나노~80나노급 양산 업계 수준에 비해 크게 앞서고 있다"며 "이번 인증을 통해 삼성의 차세대 D램 기술이 절대 우위에 있음을 다시 한 번 증명한 것"이라고 강조했다.
삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대되고 있다.
회사 관계자는 "올 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타 채용 효과로 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다"며 "또한 차세대 제품인 DDR3 D램 채용 시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다"고 전했다.
한편 삼성전자의 이번 기술은 내년 상반기에 양산 예정이며 DDR2뿐만 아니라 DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용될 계획이다.
