이선태 메리츠증권 애널리스트는 6일 삼성전자와 관련, "68나노 1Gb DRAM 양산이 PC의 2GB장착을 앞당기고, 후발 업체들의 8인치 Fab 생산 중단을 앞당긴다는 점에서 긍정적"이라면서도 "현재와 같이 공급과잉으로 가격이 급락하는 상황에서 미세회로 선폭의 적용은 업종 전체적인 공급량 증가로 이어져 가격 하락을 더욱 심화 시키는 요인으로 작용할 수 있다"고 평가했다.
다음은 보고서입니다.
- 68나노 1Gb DDR2 3월부터 양산 본격화
동사는 3월부터 68나노 공정을 적용한 1Gb DRAM 양산을 시작한다고 밝혔다.
68나노 제품은 2005년 말에 개발되었으며, 지난해 3월 80나노 공정 양산 이후 1년만에 차세대 공정을 적용하는 것이다. 68나노 공정은 기존의 80나노보다 칩사이즈가 40% 정도 작기 때문에 생산성 향상에 따른 원가 절감에 크게 기여할 것으로 판단된다.
동사의 회로선폭은 1분기말 기준 80나노와 90나노 공정이 각각 30%와 65%를 차지하고 있으며, 2분기 중 68나노 공정이 생산되어, 연말에는 80나노와 68나노가 각각 68%와 19%에 이를 것으로 예상된다.
현재 동사를 제외한 선두권 업체인 하이닉스 엘피다는 각각 80나노와 70나노 제품이 최신 공정이다. 하이닉스도 2분기 중으로 66나노 제품을 생산할 예정이다.
반면, 후발업체인 키몬다와 대만 업체들은 지난해 4분기 중 90나노 공정이 안정화되었고, 올해 4분기에 이르러서야 70나노 공정을 적용할 것으로 예상되는 점을 감안할 때 동사는 경쟁업체보다 최소한 3분기 이상 앞서 있는 것으로 판단된다.
- 기술적인 우위 확인
특히 이번 68나노 공정에서는 3차원 방식으로 트랜지스터를 만들어 면적을 최소화하고 집적도를 높이는 RCA(Recess Channel)방식과 금속 절연막을 이용하여 Capacitor을 형성하는 MIM(metal-insulator-metal)을 적용하였고, 80나노에 이어 68나노에서도 6F^2 기술을 채택하는 등 동사의 기술경쟁력을 확인할 수 있었다.
- 부정적인 점과 긍정적인 점의 혼재
이번 68나노 1Gb DRAM 양산은 긍정적인 부분과 부정적인 요인이 동시에 나타나는 등 DRAM 업종 전체에 양날의 칼로 작용할 것으로 판단된다.
긍정적인 점은 첫째, PC의 2GB DRAM 장착을 앞당길 수 있다는 점이다. DRAM 업체들의 공격적인 설비투자에 따른 현재의 공급과잉이 빠르게 해소되기 위해서는 PC당 DRAM 장착량이 조기에 2GB에 이르러야 한다. 이를 위해서 빠른 속도의 가격 하락과 더불어 2GB DRAM 모듈이 필요하다.
하지만 기존의 512Mb 칩으로는 스택방식으로 1Gb 칩을 만들어 2GB 모듈을 만들어야 하기 때문에 2GB 모듈 생산의 효율성이 떨어졌다.
하지만 1Gb 칩의 본격적인 출시로 2GB 모듈의 출시가 원활하게 이루어질 것으로 예상됨에 따라 PC의 2GB 장착이 빠르게 이루어질 전망이다.
둘째, 8인치 Fab의 DRAM 생산중단을 앞당길 수 있다는 점이다.
노후화되어 미세회로선폭 적용에 한계가 있는 8인치 Fab에서 DRAM을 생산하는 것이 12인치에서 생산하는 것보다 점차 경제성이 떨어지고 있다.
특히 8인치 Fab에서는 DRAM 80 나노 공정이 한계로 여겨지기 때문에 60나노 공정 적용이 빠르게 이루어질수록 그만큼 8인치 Fab의 경제성도 빠르게 저하될 것으로 예상된다.
이에 따라 8인치 Fab의 DRAM 생산 중단이 빠르게 나타날 것으로 예상되며, 최근 들어 엘피다와 파워칩, 난야 등이 8인치 Fab에서의 DRAM 생산을 포기하고 있다.
반면, 이러한 60나노 제품 등장이 삼성전자의 입장에서는 원가 절감이라는 긍정적인 측면일 수 있지만 업종 전체적으로는 공급량 증가 요인으로 작용할 수 있다.
특히 현재와 같이 공급과잉에 따른 가격이 급락하는 상황에서 미세회로 선폭의 적용은 업종 전체적인 공급량 증가로 이어져 가격 하락을 더욱 심화 시키는 요인으로 작용할 것으로 판단된다.
동사에 대하여 기존의 Buy 투자의견과 목표주가 700,000을 유지한다.
이는 반도체 부분이 메모리 가격 하락으로 부진한 모습을 보이고 있음에도 불구하고, LCD, 디지털 미디어, 정보통신 부분의 호조에 힘입어 하반기 실적 개선이 예상되기 때문이다.
다음은 보고서입니다.
- 68나노 1Gb DDR2 3월부터 양산 본격화
동사는 3월부터 68나노 공정을 적용한 1Gb DRAM 양산을 시작한다고 밝혔다.
68나노 제품은 2005년 말에 개발되었으며, 지난해 3월 80나노 공정 양산 이후 1년만에 차세대 공정을 적용하는 것이다. 68나노 공정은 기존의 80나노보다 칩사이즈가 40% 정도 작기 때문에 생산성 향상에 따른 원가 절감에 크게 기여할 것으로 판단된다.
동사의 회로선폭은 1분기말 기준 80나노와 90나노 공정이 각각 30%와 65%를 차지하고 있으며, 2분기 중 68나노 공정이 생산되어, 연말에는 80나노와 68나노가 각각 68%와 19%에 이를 것으로 예상된다.
현재 동사를 제외한 선두권 업체인 하이닉스 엘피다는 각각 80나노와 70나노 제품이 최신 공정이다. 하이닉스도 2분기 중으로 66나노 제품을 생산할 예정이다.
반면, 후발업체인 키몬다와 대만 업체들은 지난해 4분기 중 90나노 공정이 안정화되었고, 올해 4분기에 이르러서야 70나노 공정을 적용할 것으로 예상되는 점을 감안할 때 동사는 경쟁업체보다 최소한 3분기 이상 앞서 있는 것으로 판단된다.
- 기술적인 우위 확인
특히 이번 68나노 공정에서는 3차원 방식으로 트랜지스터를 만들어 면적을 최소화하고 집적도를 높이는 RCA(Recess Channel)방식과 금속 절연막을 이용하여 Capacitor을 형성하는 MIM(metal-insulator-metal)을 적용하였고, 80나노에 이어 68나노에서도 6F^2 기술을 채택하는 등 동사의 기술경쟁력을 확인할 수 있었다.
- 부정적인 점과 긍정적인 점의 혼재
이번 68나노 1Gb DRAM 양산은 긍정적인 부분과 부정적인 요인이 동시에 나타나는 등 DRAM 업종 전체에 양날의 칼로 작용할 것으로 판단된다.
긍정적인 점은 첫째, PC의 2GB DRAM 장착을 앞당길 수 있다는 점이다. DRAM 업체들의 공격적인 설비투자에 따른 현재의 공급과잉이 빠르게 해소되기 위해서는 PC당 DRAM 장착량이 조기에 2GB에 이르러야 한다. 이를 위해서 빠른 속도의 가격 하락과 더불어 2GB DRAM 모듈이 필요하다.
하지만 기존의 512Mb 칩으로는 스택방식으로 1Gb 칩을 만들어 2GB 모듈을 만들어야 하기 때문에 2GB 모듈 생산의 효율성이 떨어졌다.
하지만 1Gb 칩의 본격적인 출시로 2GB 모듈의 출시가 원활하게 이루어질 것으로 예상됨에 따라 PC의 2GB 장착이 빠르게 이루어질 전망이다.
둘째, 8인치 Fab의 DRAM 생산중단을 앞당길 수 있다는 점이다.
노후화되어 미세회로선폭 적용에 한계가 있는 8인치 Fab에서 DRAM을 생산하는 것이 12인치에서 생산하는 것보다 점차 경제성이 떨어지고 있다.
특히 8인치 Fab에서는 DRAM 80 나노 공정이 한계로 여겨지기 때문에 60나노 공정 적용이 빠르게 이루어질수록 그만큼 8인치 Fab의 경제성도 빠르게 저하될 것으로 예상된다.
이에 따라 8인치 Fab의 DRAM 생산 중단이 빠르게 나타날 것으로 예상되며, 최근 들어 엘피다와 파워칩, 난야 등이 8인치 Fab에서의 DRAM 생산을 포기하고 있다.
반면, 이러한 60나노 제품 등장이 삼성전자의 입장에서는 원가 절감이라는 긍정적인 측면일 수 있지만 업종 전체적으로는 공급량 증가 요인으로 작용할 수 있다.
특히 현재와 같이 공급과잉에 따른 가격이 급락하는 상황에서 미세회로 선폭의 적용은 업종 전체적인 공급량 증가로 이어져 가격 하락을 더욱 심화 시키는 요인으로 작용할 것으로 판단된다.
동사에 대하여 기존의 Buy 투자의견과 목표주가 700,000을 유지한다.
이는 반도체 부분이 메모리 가격 하락으로 부진한 모습을 보이고 있음에도 불구하고, LCD, 디지털 미디어, 정보통신 부분의 호조에 힘입어 하반기 실적 개선이 예상되기 때문이다.
