[뉴스핌=김연순 기자] NH투자증권은 29일 삼성전자와 관련 "18nm 디램(DRAM) 개발로 DRAM 원가 경쟁력이 강화될 전망"이라고 분석했다.

이세철 애널리스트는 이날 보고서를 통해 "18nm 공정부터는 QPT(Quadruple Patterning Technology) 및 초미세 유전막 적용으로 미세공정 한계를 극복할 것으로 예상한다"며 이 같이 밝혔다.

NH투자증권은 삼성전자의 18nm본격 양산은 올해 하반기가 될 것으로 전망했다.

이 애널리스트는 "현재 DRAM 공정은 20nm가 최첨단 공정이며 셀(Cell) 구조상 10nm급 구현은 기존 DPT(Double Patterning Tecnologh) 대신 QPT 기술 적용이 필요하다"고 설명했다.

또한 이 애널리스트는 "삼성전자가 캐파시터(Capacitor, 축전기) 막질 구현을 위해 초미세 유전막을 적용한 것으로 판단된다"며 "이 공정 구현을 위해서는 ALD 공정기반의 전구체(Precursor)사용이 확대될 것"이라고 전망했다. 관련주로는 한솔케미칼(전구체, H2O2), 원익머트리얼즈(CVD Gas), 디엔에프(전구체) 등을 꼽았다.

그는 이어 "일반적으로 10nm대로의 DRAM 공정전환은 캐파시터의 수직화, 터널링(전하 유출) 현상, 복잡한 노광 패터닝 등 어려움이 상존해왔다"면서 "삼성전자의 경우 초미세 유전막 형성 기술을 적용해 터널링 현상을 해결한 것으로 분석된다"고 덧붙였다.

[뉴스핌 Newspim] 김연순 기자 (y2kid@newspim.com)