[뉴스핌=이에라 기자] 일본 최대 반도체 업체인 엘피다메모리(Elpida)가 최초로 30나노미터 초반급 최신형 D램 양산에 돌입할 것으로 보인다.

이에 따라 생산 단가가 크게 내려가고, 업계 경쟁은 더욱 심화될 것으로 예상된다.

니혼게이자이신문(日本經濟新聞)은 엘피다가 오는 12월부터 30나노미터 초반급의 최신 공정을 이용한 D램을 양산할 계획을 가지고 있다고 29일 보도했다.

이 같은 행보는 지난 7월 세계 최초로 30 나노 중반급 D램을 양산했던 삼성전자의 첨단 기술을 뛰어넘는 수준이다. 그동안 세계에서 40나노급 아래의 디램을 양산하는 업체로는 삼성전자가 유일했다.

엘피다는 새로운 D램 양산을 새로운 자본 투자 없이 기존 생산 라인을 통해 공정을 시작할 것으로 알려졌다. 특히 '더블 패터닝(double patterning)'이라는 기술을 개발해 기존의 생성 공정을 활용할 수 있게 했다.

한편 엘피다는 이 같은 최신 D램을 양산함으로 수율은 45% 수준까지 높아지고, 이에 따라 생산단가를 30%를 낮출 수 있을 것이라고 니혼게이자이신문은 내다봤다.

올해 연말 히로시마 공장 양산에 이어 내년말까진느 대만 사업부인 렉스칩 일렉트로닉스에서 양상을 개시한다. 이들 두 공장의 생산 능력은 월간 21만장의 300밀리미터 실리콘웨이퍼 규모가 된다.

엘피다는 수년 내에 40나노 이하급의 D램 생산 비중을 약 70%까지 높여나간다는 방침이다.