[뉴스핌=이연호 기자] 삼성전자는 지난달 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 1일 밝혔다.
삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 삼성전자는 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.
그동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔으나, 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다. 또한 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸린 것과 달리, 30나노급 공정을 1년 만에 개발해 내면서 기술 개발의 의미를 더 했다.
삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난달 중순 평가 완료했다.
30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 또 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.
삼성전자는 40나노급 공정에 이어 30나노급 공정을 1년만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화해 나가겠다는 의미라고 설명했다. 삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다.
삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps (Giga-bit Per Second; 초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.
특히 PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps(Mega-bit Per Second; 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다"며 "최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품인 30나노급 D램을 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 '그린 메모리' 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다. 삼성전자는 향후에도 업계 최고의 기술력을 발휘해 차세대 D램을 선행 개발하고, 대용량 저전력 제품으로 고부가가치 D램 시장을 적극 확대하는 한편 고객의 수요에 적극적으로 대응함으로써 D램 시장 성장을 견인해 나갈 방침이다.
