박 애널리스트는 "프로모스와의 제휴 협력 계약으로 경쟁업체에게 돌아갈 수 있었을 기회를 가져오게 된 것"이라고 덧붙였다.
다음은 리포트 내용이다.
- 하이닉스는 5월 8일 대만 ProMos사와 포괄적 제휴 협력 계약을 체결하였다고 공시했다. 구체적인 내용은 다음과 같다.
1) 제휴기술: 동사의 50nm급 DRAM 공정기술
2) 제휴내용: 동사의 50nm급 DRAM 공정기술에 대한 라이선스 허여 및 ProMos사 300mm 생산제품의 동사 파운드리 확대
3) 제휴이유: 동사의 기술력과 ProMos사의 300mm 웨이퍼 가공 경험을 바탕으로 상호 경쟁력 강화
4) 기대효과: 50nm급 300mm 웨이퍼 가공 제품에 대한 안정적인 생산능력 확보, 사용권 허여를 통한 기술료 수입, ProMos와의 안정적 제휴협력기반 구축
5) 기타: 상기 계약과 더불어, 지분투자에 대한 LOI(Letter Of Intent)를 별도로 체결함(동사 또는 동사가 지정하는 재무투자가와 연합하여 ProMos사의 일정 지분을 매입하고자 하는 투자 의향 제시)
- 불확실성 중 한 가지 해소된 것으로 판단
이 회사의 ProMos와의 포괄적 제휴 협력 계약은 동사 관련 Risk 요인 한 가지가 제거된 것으로 판단된다. 이번 제휴는 크게 경쟁업체에게 돌아갈 수도 있었을 기회를 동사가 가져왔다라는 2가지 측면에서 긍정적으로 평가된다.
1) 첫번째는 경쟁업체들에게 ProMos라는 제휴선을 활용할 기회를 주지 않았다는 측면이다. 일본 엘피다가 ProMos의 지분 인수를 통한 ProMos와의 전략적 제휴 관계 형성을 도모하고 있다는 소문이 있었다. 실제로 양사 사이에 그런 관계가 형성되었다면 엘피다에게는 시장 점유율을 확대하고 기술료 수입을 증가시킬 수 있는 기회로 작용할 수도 있었다.
2) 두번째는 2008년 축소된 Capex로 인해 동사는 2009년에도 시장 점유율을 소폭이나마 상실할 가능성이 있었고, ProMos와의 전략적 제휴마저 성사되지 않았다면 시장 점유율 추가 상실의 위험마저 있었던 것으로 판단된다. 이번 포괄적 제휴 협력 계약 체결로 인해 동사는 50nm급 제품의 생산 확대를 성사시켰고, 1) 2009년 50nm 제품 비중 확대를 통한 원가 절감, 2) 시장 점유율 경쟁에서 경쟁력 유지, 3) 기술료 수입 확보까지 확보한 것으로 평가된다.
기술 이전 시기는 2008년 말 또는 2009년 초로 판단된다.












