삼성전자는 16단 MCP의 개발에 성공했다고 1일 밝혔다.
이번 16단 MCP에는 ▲웨이퍼를 한층 얇게 가공하는 기술 ▲칩 절단(Sawing) 기술 ▲웨이퍼 재배선 및 와이어 본딩 기술 등 기존의 기술을 뛰어 넘는 최첨단 기술이 다양하게 적용됐다.
먼저 30㎛ 웨이퍼 박막화 가공 기술은 작은 패키지 안에 많은 칩을 적층하기 위해 칩 두께를 앏게 가공하는 기술.
사람 머리카락 굵기가 100㎛, 사람 몸을 이루고 있는 세포 크기가 대부분 20~30㎛ 정도 임을 감안하면 웨이퍼 두께가 얼마나 얇은지 짐작 할 수 있다.
이번 16단 MCP는 각 칩의 두께가 가공 전 웨이퍼 두께(700㎛: 0.7mm)의 1/25, 10단 MCP 웨이퍼 두께(45㎛)의 65% 수준인 30㎛까지 얇게 가공됐다.
또 기존의 '블레이드(Blade) 절단방식(웨이퍼 절단용 칼을 사용한 칩 절단방식)' 으로 80㎛ 이하로 가공된 웨이퍼에 적용할 때 칩 절단 과정에서 칩이 깨지는 등 문제를 해결하기 위해 레이저(Laser)를 활용한 칩 절단기술을 적용함으로써 30㎛ 정도로 아주 얇게 가공된 웨이퍼에서 칩을 아무 문제없이 절단할 수 있게 됐다.
삼성전자는 16단 MCP에 동일 크기의 칩 적층시 칩 양쪽에서 와이어 본딩(배선연결)하던 기존 방식 대신 '웨이퍼 레벨 재배선' 기술을 적용해 칩 한쪽에서만 와이어 본딩을 하고 지그재그 형태로 칩을 적층했다.
칩간 접착부의 높이를 기존 60㎛에서 20㎛ 이하로 낮춤에 따라 기존의 10단 MCP (두께: 1.6mm)보다 더 얇은 패키지(1.4mm) 에 16개의 칩을 적층할 수 있게 된 것이다.












