随着人们对智能产品的需求不断增大,搭载产品内部的半导体显得尤为重要。韩国SK海力士在全球首发量产128层堆叠4D闪存,多个创新技术受到业界瞩目。

据SK海力士26日表示,公司已成为全球首家研发成功并批量生产128层堆叠4D NAND闪存新片,这距离去年量产96层4D闪存仅仅过去8个月。
SK海力士本次采用了同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术和超快低功耗电路技术等一些列创新技术。
据介绍,投入量产的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB),是业内存储密度最高的TLC闪存,每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40%,可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。
SK海力士表示,本次开发的4D NAND闪存与96层4D NAND相比,其效率提升40%,投资效率提升60%;公司计划从下半年起正式发售该半导体芯片,并推出利用该技术的解决方案产品。
记者 주옥함(wodemaya@newspim.com)












