[뉴스핌=유효정기자] 삼성전자가 올해 미세 공정 기술력 확보를 통한 원가 경쟁력 제고와 공격적인 생산량 증대로 메모리 반도체 시장 입지를 더욱 강화할 전망이다.
28일 삼성전자는 2010년 4분기 경영설명회 컨퍼런스 콜을 통해 올해 자사의 D램 비트 성장률이 60%를 넘어서고, 낸드 플래시 비트 성장률도 80%를 상회할 것으로 내다봤다.
이는 시장의 평균 성장률을 상회하는 수치로, 이날 삼성전자는 올해 전 세계 반도체 D램과 낸드 플래시 시장이 각각 50%와 80% 수준의 비트 성장률을 보일 것으로 내다봤다.
하지만 1분기 성장률에 대한 기대는 높지 않다.
삼성전자의 1분기 예상 비트 성장률은 D램과 낸드 플래시가 각각 10%대 중반, 30% 수준이다
이 같은 올해 공격적인 메모리반도체 시장의 수요 증가는 특히 모바일 기기의 확산에 대한 기대가 높기 때문이다.
특히 올해 메모리 반도체 시장의 성장은 스마트폰, 태블릿PC용 모바일 D램과 임베디드 낸드 플래시의 성장이 이끌 것으로 보고 있다.
김명호 삼성전자 반도체사업부 상무는 “올해 모바일 D램의 비트 성장률이 100%를 넘어설 것”이라고 낙관하며 “태블릿 PC용 낸드 플래시의 경우 4사분기부터 가격 상승세가 이어지고 있어 고객들의 주문 증가로 향후 공급 상황이 타이트해질 것”으로 전망했다.
특히 하반기 이후 태블릿PC와 스마트폰용 수요가 강세를 보일 것으로 예상했다.
이 가운데 삼성전자는 미세 공정 기술력 확보를 통한 원가 경쟁력 극대화에 박차를 가할 계획이다.
올 연말까지 30나노급 이하 D램 생산 비중을 50% 수준까지, 30나노급 이하 낸드 플래시 비중을 70% 수준까지 공격적으로 확대할 계획이다.
또 20나노급 D램 개발 등에도 전력을 기울일 계획이며, 전일(27알) 하이닉스도 20나노급 D램 제품 개발을 가속할 것이라고 밝혀 두 기업의 미세 공정 불꽃 경쟁도 이목을 모을 것으로 보인다.
한편, 올해 D램 가격과 낸드 플래시 가격은 1~2분기에 저점을 형성해 각각 40%대 중반, 30%대 중반 하락할 것으로 내다봤다.
김명호 상무는 “현재 스팟 가격이 D램 원가에 비해 크게 떨어져 곧 저점이 형성될 것”으로 긍정했다.
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[뉴스핌 Newspim] 유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )
