[뉴스핌=유효정 기자]삼성전자가 20나노급 D램으로 메모리 반도체 업계에서 미세 공정 기술력의 선두 자리를 이어갈 것이라고 선포했다.

7일 삼성전자에 따르면, 삼성전자의 20나노급 D램 양산 준비가 차질없이 진행, 내년 3~4분기경 시장에 선보여질 것으로 전망된다.

삼성전자 반도체사업부 전동수 부사장은 지난 5일 신라호텔에서 개최된 ‘삼성 반도체 CIO 포럼’ 행사 후 기자들과 만나 “내년 이맘때 20나노급 D램 양산을 시작할 것이며 현재 장비 수급에도 문제가 없다”고 강조했다. 지난해 40나노급, 또 올 하반기 30나노급 D램 양산에 착수한 데 이어 내년 이맘때인 4분기 경이면 20나노급 D램을 선보일 수 있을 것이라는 기대다.

또 전 부사장은 “1년에 하나씩(한 세대씩) 반드시 한다”며 삼성전자의 메모리반도체 미세공정 기술력에 대한 자신감을 내비쳤다.

이날 전 부사장은 CIO 포럼 발표를 통해 “현재 후발 주자가 40나노급 양산을 시작하고 대만의 기업들이 50나노급 양산을 시작해 삼성전자의 메모리 반도체가 평균 1~2세대씩 앞서있다”며 삼성전자의 미세 공정기술이 ‘그린 메모리’ 기술에서도 강점을 갖췄다고 강조했다.  

국내 하이닉스가 삼성전자에 뒤이어 30나노급 D램 공정 개발에 진력하고 있으며, 대만 기업들의 경우 40나노급 전환 계획도 사실상 지연을 겪고 있다.

이날 삼성전자는 CIO 포럼 행사를 개최하고 최신 30나노급 DDR3 제품 등을 기반으로 고용량 서버 전력량을 낮출 수 있는 ‘그린 메모리’ 마케팅 행보를 펼쳤다.

[뉴스핌 Newspim] 유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )