삼성전자는 지난 2004년 5월 256메가비트, 2005년 1월에 512메가비트 모바일 D램을 개발한 데 이어, 이번에 80나노 1기가 모바일 D램을 개발하는데 성공했다고 27일 밝혔다. 이 제품은 512메가비트 D램을 2개 적층한 기존 제품에 비해 두께가 얇고 전력 소모가 적은 것이 특징이다.
D램은 휘발성 메모리이기 때문에 데이터를 읽고 쓰는 구동시 뿐만 아니라, 전원이 켜져 있는 상태에서 데이터를 유지하는 대기시에도 전력이 소모된다.
80나노 1기가비트 모바일 D램은 온도에 따라 D램의 데이터 유지를 위한 리프레시 주기를 최적화해 기존 512메가비트 D램을 2개 적층한 제품 대비 대기 전력 소모를 30% 감소시킬 수 있다. 데이터를 읽고 쓰는 구동시에도 기존 제품 대비 전류량을 30% 이상 줄일 수 있다.
크기 측면에 있어서도 기존 제품 대비 20% 이상 얇은 박막형 솔루션 제공이 가능하다.
삼성전자는 "내년부터 2기가비트 급의 고용량 제품 수요가 예상된다"며 "초소형 메모리 공급에 있어 유리한 고지를 점하게 됐다"고 설명했다.
또 "기존 패키지 사용이 가능해 추가로 패키지를 개발할 필요가 없게 돼 개발 기간 단축 및 원가 절감 효과를 얻는 것은 물론 대용량·고속 메모리에 대한 시장 요구에 신속히 대응할 수 있게됐다"고 덧붙였다.
삼성전자는 오는 2007년 2분기부터 이 제품의 양산에 들어갈 계획.
내년 고용량 모바일 D램 시장이 본격화될 전망이 나오고 있는 시점에서 이번 제품 개발로 삼성전자는 현재 50%인 모바일 D램 시장 점유율을 더욱 확대할 수 있을 것으로 예상된다.
삼성전자는 "차세대 제품 개발에서 한발 앞서서 시장을 이끌어 나감으로써 시장 선점을 통한 프리미엄을 확보할 것"이라며 "PC용 제품 뿐만 아니라 그래픽·모바일 분야에서도 D램 시장 확대를 주도하며 고속 성장을 계속해 나갈 것"이라고 전망했다.












