20나노급 차세대 D램 미세공정 진입 ‘순항’
[뉴스핌=유효정기자] 권오현 삼성전자 반도체 사업부 사장이 차세대 공정 진입이 순조롭게 이뤄지고 이뤄지고 있다는 점을 내비쳤다.
31일 시스템반도체 오찬 간담회에 참석한 권오현 삼성전자 사장은 미세 공정 생산 확대를 위한 리소그래피 장비 수급 어려움을 묻는 기자들의 질문에 “장비수급 문제를 다 해결했다”고 말했다.
지난해 하반기 삼성전자는 30나노급 D램 공정 확대와 20나노급 공정 진입을 위해 반드시 필요한 이머전 리소그래피 장비 문제로 미세 공정 전환에 차질이 일어날 것이라는 우려가 제기된 바 있으나 이 같은 업계의 우려를 해소한 것.
하이닉스 또한 관련 장비의 수급 문제가 거론된 바 있으나, 지난해 연말경 장비를 추가로 확보하면서 30나노 공정 전환을 가속했다.
이에 삼성전자와 하이닉스는 각각 20나노급 30나노급 D램 생산량 확대와 20나노급 D램 양산 개발을 위한 한층 더 속도를 낼 수 있게 됐다.
현재 전 세계적으로 리소그래피 장비를 생산하는 기업이 ASML 사 등 일부 기업에 한정돼 있어 대만 등 후발 D램 기업들의 경우 장비 수급 문제로 미세 공정 진입에 더욱 어려움을 겪고 있다.
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[뉴스핌 Newspim]유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )
