지난 1월 세계 최초로 40나노급(1나노: 10억분의 1미터) 공정을 적용한 D램을 개발한 삼성전자가 이번에는 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램 제품 양산에 나선다. 40나노급 기술이 D램 양산에 적용되는 것은 세계 최초다.
삼성전자는 21일 "세계 최초로 40나노(1나노: 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2Gb DDR3 D램 제품 양산을 이번 달 말부터 본격적으로 시작한다"고 밝혔다. 이번에 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.
이번에 40나노급 D램을 조기 양산함으로써 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2Gb DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다고 삼성전자는 설명했다.
40나노급 2Gb DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16GB(기가바이트) 및 8GB 모듈(RDIMM), ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4GB 모듈(UDIMM), ▲노트북 PC용 4GB 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.












