-56나노 공정 기술로 4기가비트 DDR3 D램 개발
친환경 고용량 모듈 구현 가능
1기가비트 DDR3 대비 전력 소비 약 70% 절감 제품 양산
[뉴스핌=김신정 기자] 삼성전자가 세계 최초로 56나노 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다.
삼성전자는 지난 2007년 세계 첫 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었다. 지난해 9월에는 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다.
4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(GB) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가 바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용된다. 패키지 적층 기술(DDP Double Die Package)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.
최근에는 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있는데 이에 따라 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 기대되고 있다.
4기가비트 DDR3 D램은 56나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다.
또한 4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.
예컨대 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우 1기가비트 D램은 단품 144개를 탑재하지만 2기가비트 D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있고, 4기가비트 D램의 경우는 36개로 제작할 수 있어 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.
특히 이번에 개발된 4기가비트 DDR3는 1.35V에서 동작해 1.5V DDR3 대비 추가로 전력 소비를 20% 이상 절감할 수 있다.
따라서 4기가비트 D램 탑재로 1기가비트 D램 대비 총 70% 까지 전력 소비를 줄일 수 있게 된다.
데이터 센터(Data Center) 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기료를 줄이는 1차적인 효과와 열 방출 장비나 파워공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있게 된다.
삼성전자는 "이같은 전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대될 것"이라며 고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4기가비트 D램 수요가 더욱 증가할 것"이라고 내다봤다.
삼성전자는 향후에도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.
친환경 고용량 모듈 구현 가능
1기가비트 DDR3 대비 전력 소비 약 70% 절감 제품 양산
[뉴스핌=김신정 기자] 삼성전자가 세계 최초로 56나노 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다.
삼성전자는 지난 2007년 세계 첫 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었다. 지난해 9월에는 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다.
4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(GB) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가 바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용된다. 패키지 적층 기술(DDP Double Die Package)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.
최근에는 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있는데 이에 따라 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 기대되고 있다.
4기가비트 DDR3 D램은 56나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약20% 정도 성능이 향상됐다.
또한 4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있다.
예컨대 16기가바이트 D램 모듈을 제작할 경우 1기가비트 D램은 단품 144개를 탑재하지만 2기가비트 D램은 72개로 전력 소비를 40% 이상 절감할 수 있고, 4기가비트 D램의 경우는 36개로 제작할 수 있어 2기가비트 D램 대비 40% 이상 전력 소비를 절감할 수 있다.
특히 이번에 개발된 4기가비트 DDR3는 1.35V에서 동작해 1.5V DDR3 대비 추가로 전력 소비를 20% 이상 절감할 수 있다.
따라서 4기가비트 D램 탑재로 1기가비트 D램 대비 총 70% 까지 전력 소비를 줄일 수 있게 된다.
데이터 센터(Data Center) 등 많은 서버를 설치하는 응용처의 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기료를 줄이는 1차적인 효과와 열 방출 장비나 파워공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있게 된다.
삼성전자는 "이같은 전력 절감 효과는 서버에서 장착하는 메모리 용량이 커지면 커질수록 더욱 확대될 것"이라며 고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4기가비트 D램 수요가 더욱 증가할 것"이라고 내다봤다.
삼성전자는 향후에도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.
