주성엔지니어링은 17일 박막 패턴 형성 방법에 관한 미국특허를 취득했다고 공시했다.
회사측은 “193nm이하의 파장에서 사용하는 포토 레지스트 패턴 하부의 하드 마스크막 식각시 CH2F2가스 및 H2가스를 포함하는 혼합가스를 사용하여 포토 레지스트패턴과 하드 마스크막의 식각 선택비를 높일 수 있다”고 설명했다.
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